[發明專利]一種復合等離子氣體清洗活化方法無效
| 申請號: | 201110322169.5 | 申請日: | 2011-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN103065930A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 無錫世一電力機械設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/56 |
| 代理公司: | 蘇州市新蘇專利事務所有限公司 32221 | 代理人: | 楊曉東 |
| 地址: | 214192 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 等離子 氣體 清洗 活化 方法 | ||
1.一種復合等離子氣體清洗活化方法,包括芯片切割,芯片貼裝,導線鍵合,其特征在于:導線鍵合后,先使用氬氣對引線框架類產品的引線框架,連接導線,芯片或者PCB基板類產品的PCB基板,連接導線,芯片進行等離子處理,再使用氮氣對引線框架類產品的引線框架,連接導線,芯片或者PCB基板類產品的PCB基板,連接導線,芯片進行等離子處理,然后進行后道封裝工序。
2.根據權利要求1所述的復合等離子氣體清洗活化方法,其特征在于:抽真空使得腔體內真空度小于0.25托,將待處理材料的表面與等離子體入射的夾角控制在30-90度之間,射頻發生器發出高頻波,使連為一體的腔體內的氬氣成為等離子體,射頻波功率500+/-100瓦,作用時間25+/-10秒,氬氣的流量20+/-15標準立方厘米,氬氣處理完成后,通入氮氣,氮氣作用時,射頻波功率300+/-150瓦,作用時間30+/-20秒,氮氣的流量20+/-15標準立方厘米。
3.根據權利要求1所述的復合等離子氣體清洗活化方法,其特征在于:完成等離子處理后的待處理材料在10000及100000級無塵環境下保存的時間小于4小時,在大氣中的時間控制在2小時之內,在氮氣柜中保存時間小于14小時。
4.根據權利要求1所述的復合等離子氣體清洗活化方法,其特征在于:抽真空使得腔體內真空度小于0.23托,將待處理材料的表面與等離子體入射的夾角控制在70-80度之間,射頻發生器發出高頻波,使連為一體的腔體內的氬氣成為等離子體,射頻波功率480瓦,作用時間28秒,氬氣的流量24標準立方厘米,氬氣處理完成后,通入氮氣,氮氣作用時,射頻波功率280瓦,作用時間30秒,氮氣的流量22標準立方厘米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





