[發(fā)明專利]開口聚焦環(huán)的真空包裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110320942.4
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102367065A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;鄭文翔
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料有限公司
• 主分類號: B65B5/04
• 分類號: B65B5/04;B65B31/00;B65B61/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及半導體制造工藝中的物理氣相沉積的開口聚焦環(huán)的真空包裝方法。

背景技術(shù)

在半導體工業(yè)中，物理氣相沉積法(Physical?Vapor?Deposition，PVD)通常用于形成各種薄膜。物理氣相沉積工藝通常被稱為濺射工藝，這是由于該工藝主要是從靶材中濺射所需的材料，該材料被沉積到基板上以形成所需的薄膜。

物理氣相沉積工藝中涉及的設(shè)備，例如離子化金屬等離子體(IMP)用設(shè)備包括：濺鍍室及側(cè)壁，該濺鍍室一般為高真空室。靶材被設(shè)置在濺鍍室的上部區(qū)域，基板一般被設(shè)置在濺鍍室的下部區(qū)域。基板被設(shè)置在靜電吸盤上。靶材通過支撐構(gòu)件支撐，該支撐構(gòu)件可以為動力源。靶材的材質(zhì)可以為鋁、銅、鎳、釕、鉈、鋅等。基板可以為半導體硅片。

通常情況下，該設(shè)備工作時，金屬離子從靶材的表面中濺射出來，沿多個不同方向離開靶材的表面，這樣，到達基板上的材料變得很少，大部分靶材被浪費了，為了避免這種問題，靶材在濺射過程中使用了聚焦環(huán)，該聚焦環(huán)一般為呈開口環(huán)狀的金屬線圈，在通電的情況下，環(huán)形的金屬線圈產(chǎn)生磁力線，將從靶材濺射的離子束匯聚，以到達基板。

然而，本發(fā)明的發(fā)明人在實際使用過程中發(fā)現(xiàn)，聚焦環(huán)在進行真空包裝過程中，由于該環(huán)為開口環(huán)，因此，在對包覆聚焦環(huán)的真空膜袋進行抽真空過程中，經(jīng)常出現(xiàn)聚焦環(huán)的開口頭部出現(xiàn)變形、錯位、疊加的現(xiàn)象，在使用這種變形的聚焦環(huán)時，環(huán)形的金屬線圈產(chǎn)生磁力線不能準確將從靶材濺射的離子束匯聚到達基板。

有鑒于此，實有必要提出一種新的聚焦環(huán)的真空包裝方法，以克服現(xiàn)有的包裝方法過程中容易出現(xiàn)聚焦環(huán)的開口頭部出現(xiàn)變形、錯位、疊加的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提出一種新的聚焦環(huán)的真空包裝方法，以克服現(xiàn)有的包裝方法過程中容易出現(xiàn)聚焦環(huán)的開口頭部出現(xiàn)變形、錯位、疊加的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種新的聚焦環(huán)的真空包裝方法，該方法包括：

將聚焦環(huán)裝入真空膜袋，將所述真空膜袋的邊角處壓平；

隔所述真空膜袋在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入圓盤，所述圓盤的邊緣距離所述聚焦環(huán)的邊緣尺寸1-2毫米；此步驟中所述聚焦環(huán)為開口狀；

對所述真空膜袋抽真空；

取出所述圓盤。

可選地，所述圓盤的邊緣覆蓋保護膜。

可選地，所述保護膜為鐵氟龍膠帶。

可選地，在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入圓盤步驟中，所述圓盤將位于聚焦環(huán)內(nèi)壁的真空膜緊壓在聚焦環(huán)內(nèi)壁上，壓在圓盤底部的真空膜與聚焦環(huán)的內(nèi)壁垂直。

可選地，所述圓盤的材質(zhì)為塑料。

可選地，所述圓盤的厚度大于所述聚焦環(huán)內(nèi)壁的高度。

可選地，所述抽真空步驟中，抽完后真空度至少達到75.5Mpa。

可選地，取出所述圓盤步驟后還進行：

將干燥劑放置在所述包覆真空膜袋的聚焦環(huán)內(nèi)的開口處；

將干燥劑及所述包覆真空膜袋的聚焦環(huán)放入新的真空膜袋，將所述新的真空膜袋的邊角處壓平；

隔所述新的真空膜袋在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入圓盤，所述圓盤的邊緣距離所述聚焦環(huán)的邊緣尺寸1-2毫米；此步驟中所述聚焦環(huán)為開口狀；

對所述新的真空膜袋抽真空；

取出所述圓盤。

可選地，隔所述新的真空膜袋在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入的圓盤與前述在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入圓盤步驟中的圓盤為同一圓盤。

可選地，隔所述新的真空膜袋在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入的圓盤的邊緣覆蓋保護膜。

可選地，所述保護膜為鐵氟龍膠帶。

可選地，隔所述新的真空膜袋在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入圓盤步驟中，所述圓盤將位于聚焦環(huán)內(nèi)壁的新的真空膜緊壓在聚焦環(huán)內(nèi)壁上，壓在圓盤底部的新的真空膜與聚焦環(huán)的內(nèi)壁垂直。

可選地，對所述新的真空膜袋抽真空步驟中，抽完后真空度至少達到75.5Mpa。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：采用將聚焦環(huán)裝入真空膜袋后，將所述真空膜袋的邊角處壓平；然后在所述聚焦環(huán)內(nèi)放入圓盤，所述圓盤的邊緣距離所述聚焦環(huán)的邊緣尺寸1-2毫米，此步驟中所述聚焦環(huán)為開口狀；之后對所述真空膜袋抽真空；然后取出所述圓盤；在抽真空過程中利用了圓盤撐開該聚焦環(huán)，避免了以現(xiàn)有的包裝方法包裝的聚焦環(huán)容易出現(xiàn)聚焦環(huán)的開口頭部出現(xiàn)變形、錯位、疊加的問題，且該方法工藝簡單易操作。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實施例提供的聚焦環(huán)的真空包裝方法的流程圖；

圖2是聚焦環(huán)裝入真空膜袋后的結(jié)構(gòu)示意圖；