[發明專利]具有減小的不連續性的xMR傳感器

有效

• 申請號: 201110320318.4
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102539814A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: W.拉貝爾格;J.齊默
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01P3/44
• 分類號: G01P3/44
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;蔣駿

1.一種磁阻傳感器元件，包括:

磁阻條，包括多個串聯段，其中所述段中的相鄰段具有不同的傾斜角。

2.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述多個串聯段中的至少一個的寬度與所述多個串聯段中的至少一個其它段的寬度不同。

3.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述磁阻條是巨磁阻（GMR）條、隧道磁阻條（TMR）或各向異性磁阻條（AMR）中的一種。

4.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述不同的傾斜角包括正傾斜角和負傾斜角。

5.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述不同的傾斜角包括不同的傾斜度。

6.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述磁阻條包括具有0度的傾斜角的中心段。

7.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中第一多個串聯段形成第一子條，并且第二多個串聯段構成第二子條，所述第一子條和所述第二子條串聯連接。

8.根據權利要求7所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一子條和所述第二子條被布置為基本彼此平行。

9.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中第一多個串聯段形成第一子條，并且第二多個串聯段構成第二子條，所述第一子條和所述第二子條并聯連接。

10.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中第一多個串聯段形成第一子條，并且第二多個串聯段構成第二子條，所述第一子條和所述第二子條具有不同的寬度。

11.根據權利要求1所述的磁阻傳感器元件，其中所述相鄰的串聯段由連接器連接。

12.一種磁阻傳感器元件，包括：

磁阻條，包括串聯耦合的至少兩段，第一段具有負彎曲而第二段具有正彎曲。

13.根據權利要求12所述的磁阻傳感器元件，其中所述磁阻條是巨磁阻（GMR）條、隧道磁阻條（TMR）或各向異性磁阻條（AMR）中的一種。

14.根據權利要求12所述的磁阻傳感器元件，其中所述磁阻條大體上為S形。

15.根據權利要求12所述的磁阻傳感器元件，其中所述磁阻條包括第三段，所述第三段具有0度傾斜角并且將所述第一段與所述第二段耦合。

16.根據權利要求12所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一段和所述第二段以圓形配置被布置為彼此相對，其中所述第一段的第一端與所述第二段的第一端耦合并且所述第一段和所述第二段中的每個的第二端無耦合。

17.根據權利要求16所述的磁阻傳感器元件，其中所述第一段和所述第二段的第一端由連接器耦合。

18.一種磁阻傳感器元件，包括：

磁阻條，包括多個串聯耦合的段，所述多個串聯耦合的段中的相鄰段具有不同的寬度。

19.一種方法，包括：

形成具有第一端和第二端的磁阻條；以及

相對于所述磁阻條的中心的寬度調整所述第一端和所述第二端的寬度以補償不想要的磁場分量。

20.根據權利要求19所述的方法，其中調整包括使得所述第一端和所述第二端的寬度小于所述中心的寬度。

21.根據權利要求20所述的方法，其中調整包括使得所述第一端和所述第二端的寬度隨著不想要的By磁場分量增加而越小。

22.根據權利要求19所述的方法，其中調整包括使得所述第一端和所述第二端的寬度大于所述中心的寬度。

23.根據權利要求22所述的方法，其中調整包括使得所述第一端和所述第二端的寬度隨著不想要的By磁場分量降低而越大。

24.根據權利要求19所述的方法，其中形成包括串聯耦合多個磁阻條段以形成所述磁阻條。

25.根據權利要求19所述的方法，其中形成包括形成具有不同寬度的所述多個磁阻條段的相鄰段。