[發(fā)明專利]氧化聚硅氮烷層的方法以及形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110320248.2
• 申請日: 2011-10-20
• 公開（公告）號: CN102760660A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施信益;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/762
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達佐;陰亮

1.一種氧化聚硅氮烷層的方法，包括：

提供基底，包括溝槽；

在所述溝槽中形成聚硅氮烷層；及

在施加超音波的含酸溶液中對所述聚硅氮烷層進行處理，以氧化所述聚硅氮烷層。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于所述含酸溶液包括磷酸、硫酸、H₂SO₄添加O₃(SOM)、H₂SO₄添加H₂O₂(SPM)、H₃PO₄添加O₃或H₃PO₄添加H₂O₂。

3.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于對所述聚硅氮烷層進行處理的步驟的溫度為100℃～300℃。

4.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于對所述聚硅氮烷層進行處理的步驟的溫度為150℃～250℃。

5.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于所述超音波的輸出功率(output?power)為10watt至2000watt。

6.如權(quán)利要求6所述的氧化聚硅氮烷層的方法，還包括在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成氮化硅襯層。

7.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于所述氮化硅襯層的厚度為5nm～10nm。

8.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于所述聚硅氮烷層直接接觸所述基底，并且所述聚硅氮烷層和所述基底間不存在襯層。

9.如權(quán)利要求1所述的氧化聚硅氮烷層的方法，其特征在于形成所述聚硅氮烷層的步驟是采用旋轉(zhuǎn)涂布制程。

10.一種形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，包括：

提供基底；

于所述基底中形成溝槽；

于所述溝槽中形成聚硅氮烷層；及

在100℃～300℃的溫度下，在施加超音波的含酸溶液中對所述聚硅氮烷層進行處理以將所述聚硅氮烷層轉(zhuǎn)換成氧化硅層，其中所述含酸溶液包括磷酸、硫酸、H₂SO₄添加O₃(SOM)、H₂SO₄添加H₂O₂(SPM)、H₃PO₄添加O₃或H₃PO₄添加H₂O₂；及

移除所述溝槽外的氧化硅層。

11.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述超音波的輸出功率(output?power)為10watt至2000watt。

12.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，還包括在所述溝槽的側(cè)壁和底部形成氮化硅襯層。

13.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于對所述聚硅氮烷層進行處理的步驟的溫度為150℃～250℃。

14.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述氮化硅襯層的厚度為5nm～10nm。

15.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述聚硅氮烷層直接接觸所述基底，并且所述聚硅氮烷層和所述基底間不存在襯層。

16.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于形成聚硅氮烷層的步驟是采用旋轉(zhuǎn)涂布制程。

17.如權(quán)利要求10所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于形成所述溝槽的步驟包括：

在所述基底上形成第一墊層；

在所述第一墊層上形成第二墊層；

將所述第一墊層和所述第二墊層圖案化；及

將所述基底蝕刻以形成所述溝槽。

18.如權(quán)利要求17所述的形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所述第一墊層是由氧化硅組成，所述第二墊層是由氮化硅組成。