[發明專利]基于氮化物的半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110319085.6
• 申請日: 2011-10-19
• 公開（公告）號: CN102544116A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 樸永煥;樸基烈;全祐徹
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種基于氮化物的半導體器件，包括：

基底；

外延生長層，設置在所述基底上并且其內產生二維電子氣；以及

電極結構，設置在所述外延生長層上，并且具有延伸進所述外延生長層以接觸所述二維電子氣的延伸部。

2.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述電極結構包括與所述外延生長層肖特基接觸的肖特基電極，并且

所述延伸部被設置在所述肖特基電極中。

3.根據權利要求2所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部具有島形橫截面。

4.根據權利要求3所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部被設置為具有柵格圖案。

5.根據權利要求2所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部具有環形橫截面。

6.根據權利要求5所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述延伸部被設置為具有年輪形的圖案。

7.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述電極結構包括與所述外延生長層歐姆接觸的歐姆電極，并且

所述延伸部被設置在所述歐姆電極中。

8.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述電極結構包括：

肖特基電極，設置在所述外延生長層的中間區域中，并與所述外延生長層肖特基接觸；以及

歐姆電極，沿所述外延生長層的邊緣區域設置以具有圍繞所述肖特基電極的環形形狀，并與所述外延生長層歐姆接觸。

9.根據權利要求1所述的基于氮化物的半導體器件，其中，所述電極結構包括：

歐姆電極，設置在所述外延生長層的一側上，并與所述外延生長層歐姆接觸；以及

肖特基電極，在所述外延生長層的另一側上與所述歐姆電極相對，并與所述外延生長層肖特基接觸。

10.一種用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，包括：

制備基底；

在所述基底上形成外延生長層，所述外延生長層內產生二維電子氣；以及

在所述外延生長層上形成電極結構，所述電極結構延伸進所述外延生長層以接觸所述二維電子氣。

11.根據權利要求10所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，形成所述電極結構包括：

在所述外延生長層上形成暴露所述二維電子氣的凹陷部；

在所述外延生長層上形成覆蓋所述外延生長層并填充所述凹陷部的金屬層；以及

圖案化所述金屬層。

12.根據權利要求11所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，形成所述凹陷部包括：

在所述外延生長層的中間區域中形成第一凹陷部；以及

在所述外延生長層的邊緣區域中形成第二凹陷部，

其中，形成所述金屬層包括：

在填充所述第一凹陷部以接觸所述二維電子氣的同時，形成與所述外延生長層肖特基接觸的肖特基電極；以及

在填充所述第二凹陷部以接觸所述二維電子氣的同時，形成與所述外延生長層歐姆接觸的歐姆電極。

13.根據權利要求11所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，形成所述凹陷部在用于在所述基于氮化物的半導體器件之間進行分離的臺面處理期間被執行。

14.根據權利要求10所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，制備所述基底包括至少制備硅基板、碳化硅基板以及藍寶石基板中的任意一種。

15.根據權利要求10所述的用于制造基于氮化物的半導體器件的方法，其中，形成所述外延生長層包括：

通過使用所述基底作為籽晶層執行外延生長處理而在所述基底上生長下部氮化物層；以及

使用所述下部氮化物層作為籽晶層而在所述下部氮化物層上生長上部氮化物層，所述上部氮化物層具有比所述下部氮化物層更寬的能量帶隙。