[發(fā)明專利]一種全息閃耀光柵制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110318454.X | 申請日： | 2011-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN102360093A | 公開（公告）日： | 2012-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉全;吳建宏;陳明輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 全息 閃耀 光柵 制作方法 | ||
1.一種全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述制作方法包括下列 步驟：
1)在基片上涂布光刻膠；
2)對所述光刻膠層進行光刻，形成光刻膠光柵；
3)以所述光刻膠光柵為掩模，對基片進行正向離子束刻蝕，將光刻膠光 柵圖形轉(zhuǎn)移到基片上，形成同質(zhì)光柵；
4)清洗基片，去除剩余光刻膠；
5)以同質(zhì)光柵為掩模，對基片進行斜向Ar離子束掃描刻蝕，利用同質(zhì) 光柵掩模對離子束的遮擋效果，使基片材料的不同位置先后被刻蝕，形成三 角形的閃耀光柵槽形；
6)清洗基片，得到全息閃耀光柵。
2.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟 1)中涂布的光刻膠厚度為200nm至500nm。
3.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：在所述步 驟2)之后還包括對光刻膠光柵結(jié)構(gòu)進行灰化處理，以調(diào)節(jié)光刻膠光柵的占寬 比。
4.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟 3)中，正向離子束刻蝕采用Ar離子束刻蝕方法或CHF3反應(yīng)離子束刻蝕方法 中的一種，其具體的工藝參數(shù)為：Ar離子束刻蝕時，離子能量為380eV至 520eV，離子束流為70mA至140mA，加速電壓為240V至300V，工作壓強 為2.0×10-2Pa；CHF3反應(yīng)離子束刻蝕時，離子能量為300eV至470eV，離子 束流為70mA至140mA，加速電壓為200V至300V，工作壓強為1.4×10-2Pa。
5.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述同質(zhì) 光柵的占寬比為0.25-0.6，周期為300nm至3000nm。
6.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述同質(zhì) 光柵為矩形光柵或梯形光柵。
7.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述同質(zhì) 光柵的槽深使斜向Ar離子束的刻蝕角度等于從該同質(zhì)光柵的一頂角斜射到與 該頂角相對的底角所需的角度。
8.如權(quán)利要求1所述的全息閃耀光柵制作方法，其特征在于：所述步驟 4)中，斜向Ar離子束掃描刻蝕的工藝參數(shù)為：離子能量380eV至520eV，離 子束流70mA至140mA，加速電壓240V至300V，工作壓強2.0×10-2Pa，刻 蝕角度為8°至40°。
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