[發明專利]P型場效應晶體管的應變結構

有效

• 申請號: 201110317907.7
• 申請日: 2011-10-18
• 公開（公告）號: CN102456740A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 鄭振輝;馮家馨;黃立平;呂偉元
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/8238;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種p型場效應晶體管，包括：

基板，具有頂面；

成對隔離件，在所述基板頂面的上方；

溝道凹進腔，包括在所述成對隔離件之間的所述基板頂面中的凹部；

柵疊層，具有位于所述溝道凹進腔中的底部和在所述溝道凹進腔外部延伸的頂部；

源極/漏極(S/D)凹進腔，包括在所述基板頂面以下的底面和側壁，其中，所述S/D凹進腔包括在所述柵疊層以下延伸的部分；

應力材料，填充所述S/D凹進腔；以及

源極/漏極(S/D)外延，基本一致地圍繞所述S/D凹進腔的所述底面和側壁，其中，所述S/D外延包括設置在所述柵疊層和所述S/D凹進腔之間并且進一步在所述柵疊層以下延伸的部分。

2.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述溝道凹進腔具有底部和錐形側壁。

3.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述溝道凹進腔具有弧形底部。

4.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述基板的所述頂面和所述溝道凹進腔的底面之間的高度在約2至12nm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述基板的所述頂面和所述S/D凹進腔的所述底面之間的高度在約30至60nm的范圍內。

6.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述應力材料在所述基板的所述頂面上延伸。

7.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述應力材料不在所述基板的所述頂面上延伸。

8.根據權利要求1所述的p型場效應晶體管，其中，所述應力材料包括SiGe。

9.一種用于制作p型場效應晶體管的方法，所述方法包括：

將虛擬柵疊層設置在基板的上方；

將所述基板凹陷以在所述基板中形成源極/漏極(S/D)凹進腔并且與所述虛擬柵疊層相鄰；

在所述S/D凹進腔中選擇生長應力材料；

進行熱處理以形成一致圍繞所述S/D凹進腔的源極/漏極(S/D)外延；

去除所述虛擬柵疊層以形成暴露所述虛擬柵疊層下方的所述基板的開口；

將在所述開口中暴露的所述基板凹陷以形成與所述S/D凹進腔隔離的溝道凹進腔；以及

在所述開口中形成柵疊層，所述柵疊層具有位于所述溝道凹進腔中的底部和在所述溝道凹進腔外部延伸的頂部。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，使用濕蝕刻工藝將基板凹陷以形成所述源極/漏極(S/D)凹進腔。