[發(fā)明專利]一種納米熱電粉體材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110317550.2 | 申請日: | 2011-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN102386321A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王連軍;陳曉宗;董媛;江莞;林巖 | 申請(專利權(quán))人: | 東華大學(xué);大連海藍光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L35/34 | 分類號: | H01L35/34;B22F9/04;B82Y40/00;B02C23/00 |
| 代理公司: | 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233 | 代理人: | 黃志達;謝文凱 |
| 地址: | 201620 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 熱電 材料 制備 方法 | ||
1.一種納米熱電粉體材料的制備方法,包括:
(1)將熱電材料破碎成1mm~5mm的粗粉;
(2)將上述粗粉裝入研磨罐,浸入液氮預(yù)冷5-60min;
(3)在液氮環(huán)境中研磨1-30h,研磨后經(jīng)過真空干燥得到納米熱電粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米熱電粉體材料的制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中的熱電材料為:
Bi2Te3及其合金R-Bi-Te-M,R=Sb、Cs或Tl,M=Se;
或CoSb3及其摻雜化合物RyMxCo4-xSb12,R=La、Ge、Ba、Y或Yb,M=Fe或Ni,0<x<4,0<y<1;
或Si-Ge合金;
或PbTe及其摻雜化合物;
或AB2-yX,A=Ti、V、Zr、Y、Nb或Hf,B=Fe、Co、Ni、Mn、Cu或Cr,X=Ga、S或Sb,0<y<2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米熱電粉體材料的制備方法,其特征在于:所述步驟(3)中的納米熱電粉體平均晶粒尺寸為20nm~100nm,最小粒子直徑5nm~10nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L35-00 包含有一個不同材料結(jié)點的熱電器件,即顯示出具有或不具有其他熱電效應(yīng)或其他熱磁效應(yīng)的Seebeck效應(yīng)或Peltier 效應(yīng)的熱電器件;專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備;這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點處進行熱交換的方法區(qū)分的





