[發(fā)明專利]一種防氧化的銅基鍵合絲的制備工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110317098.X | 申請(qǐng)日: | 2011-10-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102324392A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙碎孟;周鋼;薛子夜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東佳博電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/49 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510530 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化 銅基鍵合絲 制備 工藝 | ||
1.一種防氧化的銅基鍵合絲的制備工藝,其特征在于:鍵合絲包括基礎(chǔ)材料銅,并添加Pt、Ce、Pd微量金屬元素,構(gòu)成基材,基材金屬絲表面鍍防氧化金層,構(gòu)成所述銅基鍵合絲,基礎(chǔ)材料銅、鍍層金的純度均高于99.99%,鍵合絲中各成分的質(zhì)量占比Cu為88-97%,微量金屬元素La為0.0006-0.010%,Ce為0.001-0.005%,Pd為0.003-0.005%,鍍層金為2-10%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防氧化的銅基鍵合絲的制備工藝,其特征在于:所述鍵合絲的基礎(chǔ)材料為銅,銅來料包括成品銅線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防氧化的銅基鍵合絲的制備工藝,其特征在于:所述鍵合絲基材是以銅為基礎(chǔ)材料添加幾種微量金屬元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防氧化的銅基鍵合絲的制備工藝,其特征在于:所述鍵合絲表面鍍金的厚度為0.1微米-2.0微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的一種防氧化的銅基鍵合絲的制備工藝,其特征在于:所述鍵合絲的制備工藝包括如下步驟:
步驟一,混合金屬基材,將純度高于99.99%的Cu,添加選定的微量金屬材料Pt、Ce、Pd,混合為母合金基材,做好混合熔煉前期準(zhǔn)備;
步驟二,熔煉母合金胚材,將上述混合金屬材料在真空度為10-2-10-3Mpa的熔爐內(nèi)高溫融化,保持熔煉溫度為1800℃,精煉時(shí)間50分鐘以上,熔煉過程中采用高純度氬氣保護(hù),最后采用凝固方式制備直徑為8-10毫米的母合金銅棒胚料;
步驟三,拉制微細(xì)絲,將上述直徑為8-10毫米的母合金銅棒胚料進(jìn)行冷加工,加工至直徑為1.0毫米左右的母合金絲,然后進(jìn)行拉拔處理,每次加工率為15%至20%,每次拉拔速度控制在50米/分鐘左右,速度波動(dòng)控制在10%以內(nèi);再經(jīng)過以下相似過程多次,采用每次加工率為6%至20%,將前述金屬細(xì)絲加工至直徑15微米-75微米,拉制速度控制在500米/分鐘,速度變化控制在10%以內(nèi);
步驟四,清洗金屬絲,將上述微細(xì)金屬絲進(jìn)行表面清洗,采用超聲波技術(shù)清洗,清洗介質(zhì)采用無水酒精;
步驟五,表面鍍金,將上述清洗后的微細(xì)金屬絲進(jìn)行電鍍處理,電鍍液為軟金電鍍液,金的純度高于99.99%,電鍍電流密度0.25A/dm2-5.0A/dm2,電鍍速度控制在20m/min內(nèi);
步驟六,退火處理,將表面鍍金的微細(xì)銅絲進(jìn)行退火處理,采用氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境下熱處理,熱處理溫度為415℃-425℃,處理時(shí)間控制在1.0S-2.1S,控制退火時(shí)張力大小3.0g以內(nèi);
步驟七,繞線,使用專用繞線機(jī),將鍵合絲定長(zhǎng)繞制在兩英寸直徑的線軸上,繞線速度控制在50m/min-100m/min,線間距約為5毫米,分卷長(zhǎng)度為50米至1000米;
步驟八,包裝,采用普通包裝,常溫保存。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





