[發(fā)明專利]背面照射型固體拍攝裝置及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110316954.X
• 申請(qǐng)日: 2011-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN102569312A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤麻紀(jì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 周春燕;陳海紅

1.一種背面照射型固體拍攝裝置，包括：

半導(dǎo)體基板，其具有第1導(dǎo)電型；

阱區(qū)域，其配置在上述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋揖哂械?導(dǎo)電型；

多個(gè)光電二極管，其配置在上述阱區(qū)域內(nèi)，且具有第2導(dǎo)電型；

擴(kuò)散層，其配置在上述多個(gè)光電二極管之間，并向上述阱區(qū)域提供電位，且具有第1導(dǎo)電型；

溢漏層，其配置在上述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)龋揖哂械?導(dǎo)電型；

溢漏電極，其從上述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)妊由熘辽鲜鲆缏樱瑥纳鲜霭雽?dǎo)體基板的表面?zhèn)认蛏鲜鲆缏犹峁┢秒娢唬灰约?/p>

布線層，其配置在上述半導(dǎo)體基板的表面上。

2.權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

在上述半導(dǎo)體基板的背面上配置的遮光膜、濾色器及微透鏡。

3.權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其從上述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)妊由熘辽鲜鲆缏樱?/p>

其中，上述溢漏電極具有與上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相同的構(gòu)造。

4.權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

上述半導(dǎo)體基板內(nèi)的溝；以及

覆蓋上述溝的內(nèi)面的絕緣層，

其中，上述溢漏電極具有填滿上述溝的導(dǎo)電性硅層。

5.權(quán)利要求1所述的裝置，其中，

上述溢漏電極在包含上述阱區(qū)域的像素區(qū)域內(nèi)配置在上述多個(gè)光電二極管之間。

6.權(quán)利要求1所述的裝置，其中，

上述溢漏電極配置在不包含上述阱區(qū)域的周邊電路區(qū)域內(nèi)。

7.權(quán)利要求1所述的裝置，其中，

上述溢漏層配置在上述半導(dǎo)體基板的整個(gè)背面，其厚度為0.05μm～0.3μm。

8.權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

擴(kuò)散層，其向上述半導(dǎo)體基板提供電位，且具有第1導(dǎo)電型。

9.一種制造權(quán)利要求1的裝置的方法，包括：

通過在上述半導(dǎo)體基板的背面上沉積具有比上述半導(dǎo)體基板高的雜質(zhì)濃度的導(dǎo)電性硅層，形成上述溢漏層；

通過在上述半導(dǎo)體基板形成了溝之后在上述溝內(nèi)填滿導(dǎo)電層，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記同時(shí)形成上述溢漏電極；以及

在形成了上述溢漏層及上述溢漏電極之后，形成上述多個(gè)光電二極管及上述擴(kuò)散層。

10.權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

通過使用上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)，在上述半導(dǎo)體基板的背面上形成遮光膜、濾色器及微透鏡。

11.一種背面照射型固體拍攝裝置，包括：

半導(dǎo)體基板，其具有第1導(dǎo)電型；

阱區(qū)域，其配置在上述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋揖哂械?導(dǎo)電型；

多個(gè)光電二極管，其配置在上述阱區(qū)域內(nèi)，且具有第1導(dǎo)電型；

擴(kuò)散層，其配置在上述多個(gè)光電二極管之間，并向上述阱區(qū)域提供電位，且具有第2導(dǎo)電型；

溢漏層，其配置在上述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)龋揖哂械?導(dǎo)電型；

溢漏電極，其從上述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)妊由熘辽鲜鲆缏樱瑥纳鲜霭雽?dǎo)體基板的表面?zhèn)认蛏鲜鲆缏犹峁┢秒娢唬灰约?/p>

布線層，其配置在上述半導(dǎo)體基板的表面上。

12.權(quán)利要求11所述的裝置，還包括：

在上述半導(dǎo)體基板的背面上配置的遮光膜、濾色器及微透鏡。

13.權(quán)利要求11所述的裝置，還包括：

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其從上述半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)妊由熘辽鲜鲆缏樱?/p>

其中，上述溢漏電極具有與上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相同的構(gòu)造。

14.權(quán)利要求11所述的裝置，還包括：

上述半導(dǎo)體基板內(nèi)的溝；以及

覆蓋上述溝的內(nèi)面的絕緣層，

其中，上述溢漏電極具有填滿上述溝的導(dǎo)電性硅層。

15.權(quán)利要求11所述的裝置，其中，

上述溢漏電極在包含上述阱區(qū)域的像素區(qū)域內(nèi)配置在上述多個(gè)光電二極管之間。

16.權(quán)利要求11所述的裝置，其中，

上述溢漏電極配置在不包含上述阱區(qū)域的周邊電路區(qū)域內(nèi)。

17.權(quán)利要求11所述的裝置，其中，

上述溢漏層配置在上述半導(dǎo)體基板的整個(gè)背面，其厚度為0.05μm～0.3μm。