[發明專利]一種光刻方法

有效

• 申請號: 201110316103.5
• 申請日: 2011-10-18
• 公開（公告）號: CN103065946A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 沈滿華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種光刻方法，提供具有光刻圖案的晶片，其特征在于，該方法包括：

所述光刻圖案進行離子摻雜；

離子摻雜后的光刻圖案進行等離子體處理或者紫外線加工，在所述光刻圖案表面形成平滑層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子摻雜的元素是碳、氟、硼或氬元素。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子摻雜是淺注入，所述淺注入劑量范圍是E10～E15原子每平方厘米；注入能量范圍是1～10電子伏特。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理在微波灰化反應腔中進行；所述微波灰化反應腔中的壓強范圍是300毫托到2000毫托。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理的等離子體反應的時間范圍是20到100秒；所述等離子體處理的等離子體反應功率范圍是500瓦到3000瓦；所述等離子體處理的等離子體反應溫度范圍是200攝氏度到300攝氏度。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理中通入氧氣的流量范圍是2000標況毫升每分鐘到8000標況毫升每分鐘；通入氮氣或者氫氣的流量范圍是：500標況毫升每分鐘到1000標況毫升每分鐘。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外線加工采用的紫外線的波長是400納米。

8.根據權利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述紫外線加工分為兩步：第一步、所述紫外線加工所用的紫外線發射管旋轉照射所述離子摻雜后的光刻圖案，所述紫外線發射管在0到180度范圍內旋轉，所述紫外線發射管的旋轉速率范圍是：6轉每秒到10轉每秒，第一次照射時間范圍是60秒到120秒，所述紫外線發射管的功率范圍是：50瓦到200瓦；

第二步、所述紫外線發射管在90到270度范圍內旋轉，所述紫外線發射管的旋轉速率范圍是：6轉每秒到10轉每秒，第一次照射時間范圍是60秒到120秒，所述紫外線發射管的功率范圍是：50瓦到200瓦。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述平滑層的厚度范圍是1到10納米。