[發明專利]一種激光打孔后硅片的處理方法無效
| 申請號： | 201110311661.2 | 申請日： | 2011-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN102354716A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 朱冉慶;王栩生;章靈軍 | 申請（專利權）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯（中國）投資有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址： | 215129 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 激光 打孔 硅片 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種激光打孔后硅片的處理方法，其特征在于，包括如下步驟：在硅片進行激光打孔之后，進行至少一次濕化學清洗，去除硅片表面的損傷層；然后用去離子水進行清洗，去除硅片表面的化學液，干燥處理。
2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于：所述濕化學清洗所用的清洗液為DHF、RCA或BOE，清洗時間為3~5?min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
