[發明專利]基于低壓檢測功能的復位電路

無效

• 申請號: 201110310571.1
• 申請日: 2011-09-30
• 公開（公告）號: CN102394612A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 張俊;胡建國;王德明;丁一;譚洪舟
• 申請（專利權）人: 廣州中大數碼科技有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;G01R19/00
• 代理公司: 廣州凱東知識產權代理有限公司 44259
• 代理人: 李俊康

1.一種基于低壓檢測功能的復位電路，其特征在于，它包括：

用于形成復位電路產生復位信號所需的門限電壓值，并根據門限電壓值界定電源VDD電壓上電或掉電過程中復位電路的工作狀態的電壓檢測模塊；

用于在復位電路非正常工作時輸出低電平作為復位信號，以及在復位電路正常工作時輸出高電平的復位輸出模塊；

用于在復位電路非正常工作時輸出低電平作為存儲器鎖使能信號，以及在復位電路正常工作時輸出高電平作為存儲器使能信號的電壓放大模塊。

2.根據權利要求1所述的基于低壓檢測功能的復位電路，其特征在于，它還包括對復位輸出模塊的輸出電壓進行整形的電壓整形A模塊。

3.根據權利要求2所述的基于低壓檢測功能的復位電路，其特征在于，它還包括對電壓放大模塊的輸出電壓進行整形的電壓整形B模塊。

4.根據權利要求3所述的基于低壓檢測功能的復位電路，其特征在于，所述電壓檢測模塊由電阻R11、電阻R12、PMOS?111、PMOS?112、PMOS?16、PMOS?17、PMOS?18、PMOS?19、NMOS?113、NMOS?13、NMOS14和NMOS?15組成，其中，電阻R11阻值大于電阻R12的阻值，電阻R11一端接電源VDD，電阻R11另一端通過結點b1與電阻R12一端串聯，電阻R12另一端通過結點b2連接NMOS?13的漏極和柵極，NMOS13的源極接地，PMOS?18的漏極接電源，PMOS?18的源極與PMOS?16的漏極相連，PMOS?18的柵極與PMOS?16和NMOS?14的柵極相連并連接到結點b1，PMOS?16的漏極通過結點N1與NMOS?14的漏極相連，NMOS14的源極接地，PMOS?19的漏極接電源，PMOS?19的源極與PMOS?17的漏極相連，PMOS?19的柵極與PMOS?17和NMOS?15的柵極相連并連接到結點b2，PMOS?17的漏極通過結點N2與NMOS?15的漏極相連，NMOS?15的源極接地，PMOS?111的漏極接電源，PMOS?111的源極與PMOS?112的漏極相連，PMOS?111的柵極與PMOS?112和NMOS?113的柵極相連并連接到結點b1，PMOS?112的漏極通過結點N3與NMOS?113的漏極相連，NMOS?113的源極接地。

5.根據權利要求4所述的基于低壓檢測功能的復位電路，其特征在于，所述復位輸出模塊由PMOS?24、PMOS?25、PMOS?26、NMOS?21、NMOS?22和NMOS?23組成，PMOS?24的源極接電源，PMOS?24的柵極與NMOS?21的柵極相連并連接到結點N1，PMOS?24的漏極通過結點up與NMOS?21的漏極相連，NMOS?21的源極接地，PMOS?25的源極接電源，PMOS?25的源極柵極與NMOS?22的柵極相連并連接到結點N2，PMOS?25的源極漏極通過結點down與NMOS?22的漏極相連，NMOS?22的源極接地，PMOS?26的源極接電源，PMOS?26的柵極連接到結點up，PMOS?26的漏極通過結點N4與NMOS?23的漏極相連，NMOS?23的柵極連接到結點down，NMOS?23的源極接地。

6.根據權利要求5所述的基于低壓檢測功能的復位電路，其特征在于，所述電壓放大模塊由PMOS?44、PMOS45、PMOS46、NMOS?41、NMOS?42和NMOS?43組成，PMOS?44的源極接電源，PMOS?44的柵極與NMOS?41的柵極相連并連接到結點N3，PMOS?44的漏極通過結點N8與NMOS?41的漏極相連，NMOS?41的源極接地，PMOS?45的源極接電源，PMOS?45的柵極與NMOS?42的柵極相連并連接到結點N8，PMOS?45的漏極通過結點N6與NMOS?42的漏極相連，NMOS?42的源極接地，PMOS?46的源極接電源，，PMOS?46的柵極與NMOS?43的柵極相連并連接到結點N6，，PMOS?46的漏極通過結點N8與NMOS?43的漏極相連，NMOS?43的源極接地。