[發明專利]增強溝槽型IGBT可靠性器件制造方法

無效

• 申請號: 201110310521.3
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN102768948A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 王海軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種增強溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、先刻蝕硅表面上的二氧化硅阻擋層；

步驟二、去除光刻膠，以二氧化硅作為阻擋層，繼續刻蝕硅槽至所需的深度，進行刻蝕形成深的槽；

步驟三、通過爐管在溝槽里生長氮化硅膜；

步驟四、進行氮化硅的垂直刻蝕，只留下溝槽側壁的氮化硅；

步驟五、進行爐管二氧化硅的成長；

步驟六、用化學藥液清洗掉側壁的氮化硅；

步驟七、再進行側壁柵氧的氧化。

2.如權利要求1所述的增強溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述深槽底部的柵氧厚度比溝道的柵氧厚度厚50埃以上。

3.如權利要求1所述的增強溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述步驟二中所述槽深度為1微米以上。

4.如權利要求1所述的增強溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述步驟三中所述氮化硅膜膜厚在50埃以上，500埃以下。

5.如權利要求1所述的增強溝槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，所述步驟五中所述二氧化硅的厚度在500埃以上。