[發(fā)明專利]以ZnO晶體為模型制備金屬微納米陣列電極的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110309261.8
• 申請日: 2011-10-13
• 公開（公告）號: CN103043597A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設計）人: 劉繼鋒;孟凡軍
• 申請（專利權）人: 聊城大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;C25D9/04;C25D5/54;C25D5/02;G01N27/30
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1.以ZnO晶體為模型制備金屬微納米陣列電極的方法，其特征是，步驟如下：

（1）在基底上電沉積出ZnO晶體微納米陣列；

（2）在ZnO晶體微納米陣列上甩一層光刻膠，將其覆蓋淹沒，熱處理，使光刻膠穩(wěn)固，然后浸入到相應光刻膠的去膠液中浸泡，或用等離子體處理，除掉部分光刻膠，使ZnO晶體的頂端露出；

（3）用酸或堿浸泡處理，將ZnO晶體除掉，剩下具有規(guī)則形狀孔洞的光刻膠層粘附在基底上；

（4）然后將制得的樣品浸入到含有待沉積金屬的溶液中，用電沉積的方法沉積金屬，金屬晶體會在形成的孔洞中生長，但金屬晶體的長度不要超過孔洞的長度；

（5）最后，用去膠液或等離子體將光刻膠除掉。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征是，步驟（1）中所用基底為ITO/玻璃基底。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征是，步驟（2）中所用光刻膠為Ultra-i?123、S1805或AZ系列光刻膠。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征是，Ultra-i?123光刻膠對應的處理液為KOH溶液，優(yōu)選質量濃度為0.1-10％的KOH溶液。

5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征是，S1805光刻膠對應的處理液為NaOH溶液，優(yōu)選質量濃度為0.1-10％的NaOH溶液。

6.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征是，AZ系列光刻膠對應的處理液為Na₂CO₃溶液，優(yōu)選質量濃度為0.1-10％的Na₂CO₃溶液。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征是，步驟（2）中所述浸泡時間是0.5-20min。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征是，步驟（3）中所用的酸為鹽酸、硫酸或醋酸，酸的濃度優(yōu)選為0.01—1M。

9.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征是，步驟（3）中所用的堿為氫氧化鈉，堿的濃度優(yōu)選為1-3M。

10.據(jù)權利要求1所述的方法，其特征是，步驟（3）中所述待沉積金屬是Ni、Co、Fe、Bi、Au、Pt或Pt-Co。