[發明專利]一種石墨烯晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201110308804.4
• 申請日: 2011-10-12
• 公開（公告）號: CN102339735A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 魏芹芹;崔曉銳;尹金澤;曹宇;魏子鈞;趙華波;傅云義;黃如;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78;B82Y10/00
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種石墨烯晶體管的制備方法，其步驟包括：

1)在基底上制備單個或若干個放置碳納米管的納米尺度溝槽結構，溝槽中設有碳納米管作為柵電極；

2)通過導電材料將碳納米管引出；

3)將石墨烯轉移至碳納米管所在的溝槽上面，溝槽中碳納米管與石墨烯之間的空氣為柵介質；

4)在石墨烯的兩端淀積導電材料引出。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)具體為：先用微加工的方法在基底上制備出溝槽，然后在溝槽內生長碳納米管或者將已制備出的碳納米管轉移到納米尺度溝槽內。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中基底為SiO₂、石英、砷化鎵或塑料。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中碳納米管為單壁碳納米管、多壁碳納米管或碳納米管管束。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中放置于溝槽內的碳納米管為一根或多根。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中溝槽的間距為2nm～1μm，溝槽寬度＜1.5μm，溝槽深度＜300nm。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中石墨烯為單層、兩層或多層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中石墨烯橫跨在一個溝槽之上，或同時橫跨在多個溝槽上面，且溝槽中預先放置碳納米管。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述導電材料為金屬材料、高摻雜半導體材料、導電塑料或聚合物材料。