[發(fā)明專利]光電元件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110307537.9
• 申請日: 2011-10-08
• 公開（公告）號: CN103035756A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周邦彥;任忠琦;袁文浩;杜彥良;黃久恭;邱俊憲;林作英;李卓澔
• 申請（專利權(quán)）人: 威奈聯(lián)合科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種光電元件，其特征在于其包含：

一背電極；

一透明前電極；

一p-型半導(dǎo)體層，設(shè)于該背電極與該透明前電極之間，且由一第一半導(dǎo)體化合物所構(gòu)成，該第一半導(dǎo)體化合物包括M¹、M²及A¹，該M¹是選自于Cu、Au、Ag、Na、Li、K或此等的一組合，該M²是選自于In、Ga、Al、Ti、Zn、Cd、Sn、Mg或此等的一組合，及該A¹是選自于S、Se、Te或此等的一組合，該p-型半導(dǎo)體層具有一在其厚度方向上均勻的M¹/M²原子比；及

一n-型層結(jié)構(gòu)，設(shè)于該p-型半導(dǎo)體層與該透明前電極之間，與該p-型半導(dǎo)體層共同形成一p-n接面，且具有一n-型半導(dǎo)體層；

該n-型半導(dǎo)體層是由一第二半導(dǎo)體化合物所構(gòu)成，該第二半導(dǎo)體化合物包括M³、M⁴及A²，該M³是選自于Cu、Au、Ag、Na、Li、K或此等的一組合，該M⁴是選自于In、Ga、Al、Ti、Zn、Cd、Sn、Mg或此等的一組合，及該A²是選自于S、Se、Te或此等的一組合，該n-型半導(dǎo)體層具有一在其厚度方向上均勻的M³/M⁴原子比，該M³/M⁴原子比小于M¹/M²原子比且大于0.1而小于0.9。

2.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于：該M¹/M²原子比大于0.9。

3.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于：該M¹/M²原子比介于0.91與1.3之間。

4.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于：該M³/M⁴原子比介于0.4與0.7之間。

5.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于：該p-型半導(dǎo)體層具有一介于0.2至2μm的厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于：該n-型半導(dǎo)體層具有一介于0.02至0.7μm的厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于：該n-型層結(jié)構(gòu)還包括一緩沖層，該n-型半導(dǎo)體層形成在該p-型半導(dǎo)體層上，該緩沖層形成在該n-型半導(dǎo)體層上。

8.如權(quán)利要求7所述的光電元件，其特征在于：該緩沖層的材料是選自CdS、ZnS、In2Se3、CdZnS或此等的一組合。

9.如權(quán)利要求7所述的光電元件，其特征在于：該n-型層結(jié)構(gòu)還包括一形成在該緩沖層上的窗口層。

10.如權(quán)利要求9所述的光電元件，其特征在于：該窗口層的材料是選自ZnO、ZnS、AZO或此等的一組合。