[發明專利]一種Ti-Mo-N多元薄膜的制備及熱處理方法

在審

• 申請號: 201110307389.0
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102409308A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 韓曉芬
• 申請（專利權）人: 寧波市瑞通新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Ti-Mo-N多元薄膜的制備及熱處理方法，其是以Ti、Mo、N為薄膜的基本組成元素，采用磁控濺射的方法制備Ti-Mo-N三元薄膜；具體包括以下制備步驟：

先將基體材料表面拋光，并分別用氫氟酸、丙酮、酒精和去離子水等在超聲波清洗器中各清洗約10min后烘干備用；

隨后，將基體材料置于磁控濺射設備真空室內的樣品臺上，并將純Ti靶和Ti₅₀Mo₅₀合金靶分別置于不同的陰極靶位；

隨后將真空室內真空度抽到≤5×10^-4Pa，同時通入流量為8-10sccm的Ar，當真空室氣壓為2-4Pa時，預濺射2-3min，預濺射的功率為50-70W，以進一步清洗基體材料的成膜表面；

隨后維持Ar的流量為8-10sccm，控制基體材料溫度為40-50℃，當真空室氣壓為1-1.5Pa時，向基體材料施加100-150V的負偏壓，同時移開純Ti靶的擋板，以50-70W的功率進行濺射，濺射時間為5-10min，以形成一層純Ti薄膜；

隨后開始通入流量為0.3-0.6sccm的N₂，并維持Ar的流量為8-10sccm、真空室氣壓為1-1.5Pa、基體材料的負偏壓為100-150V、基體材料的溫度為40-50℃，以50-70W的功率進行濺射，濺射時間為15-25min，以形成一層Ti-N二元薄膜；

隨后維持Ar的流量為8-10sccm、N₂的流量為0.3-0.6sccm、真空室氣壓為1-1.5Pa、基體材料的負偏壓為100-150V，升高基體材料的溫度為80-100℃，同時關閉純Ti靶的擋板并移開Ti₅₀Mo₅₀合金靶的擋板，以50-70W的功率進行濺射，濺射時間為80-100min，以形成Ti-Mo-N三元薄膜。

濺射成膜后，在Ar氛圍下對薄膜進行熱處理，處理溫度為800-900℃，處理時間為40-50min，隨后緩冷到室溫。