[發明專利]磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110306815.9
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102502571A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 張亞非;蘇言杰;張耀中;魏浩
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B82Y40/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 葉敏華

1.磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，該方法將催化劑、硫粉、高純石墨粉按比例充分混合后制得陽極石墨棒，將制得的陽極石墨棒放在充有緩沖氣體的電弧室內與陰極正對，通過調整放電電壓和放電電流，使陰、陽兩極發生電弧放電，通過調節施加在陰陽電極間磁場的強度和方向即可在陰、陽兩極側部設置的基底上制得單壁碳納米管定向薄膜。

2.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的催化劑為鐵或其化合物與鈷、鎳、鉬中的一種或幾種混合。

3.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的催化劑、硫粉、高純石墨粉的摩爾比為的(1.5-4.5)∶(0.5-1)∶(94-98)。

4.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的陽極石墨棒還可以加入粘結劑煤焦油并在高溫爐中1000℃處理3-4小時，粘結劑的加入量為陽極石墨棒的25wt％。

5.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的緩沖氣體為氬氣、氦氣或氫氣中的一種或幾種。

6.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，電弧放電的放電電壓范圍為40～80V，放電電流范圍為60～120A。

7.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的磁場的強度為0.001～0.1T。

8.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的磁場的方向與電場方向垂直。

9.根據權利要求1所述的磁誘導電弧放電法制備單壁碳納米管定向薄膜的方法，其特征在于，所述的基底包括硅片、石英片、玻璃片或云母片。