[發(fā)明專利]非線性光學(xué)晶體氟碳酸鍶鉀無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110304068.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103031605A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉寧;鄒國(guó)紅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/10 | 分類號(hào): | C30B29/10;C30B1/10;C30B9/12;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39;H01S3/109 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非線性 光學(xué) 晶體 碳酸 | ||
1.化合物氟碳酸鍶鉀,其特征在于:其化學(xué)式為KSrCO3F,屬于六方晶系,空間群為P6m2,晶胞參數(shù)為?α=β=90°,γ=120°,z=1,單胞體積為?
2.一種權(quán)利要求1的氟碳酸鍶鉀化合物的制備方法,其特征在于:將含K、Sr、F和C的化合物原料按適當(dāng)比例均勻混合研磨后,緩慢升溫300~400℃后,預(yù)燒1~5小時(shí);冷卻至室溫,取出研磨;然后在550~650℃下燒結(jié)12~20小時(shí),冷卻至室溫即可獲得氟碳酸鍶鉀化合物。
3.權(quán)利要求1的化合物氟碳酸鍶鉀的非線性光學(xué)晶體。
4.一種權(quán)利要求3所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的生長(zhǎng)方法,采用熔鹽法生長(zhǎng),其特征在于:以KF-K2CO3為助熔劑生長(zhǎng),KF/K2CO3摩爾比為1/2~2/1,以K為基準(zhǔn)時(shí)溶質(zhì)與溶劑摩爾比為1/4~1/2,將原料按上述比例混合均勻,升溫700~800℃至原料完全熔化,恒溫1~20小時(shí)后,迅速降溫至飽和溫度以上5~10℃,然后按每日1~5℃的速率降溫至600℃,關(guān)閉爐子;待樣品冷卻至室溫后,用水洗去助熔劑,即獲得本發(fā)明尺寸為0.5×0.4×0.3mm的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體。
5.一種權(quán)利要求3所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的生長(zhǎng)方法,采用熔鹽法生長(zhǎng),其特征在于:采用KF-SrF2助熔劑體系,KF/SrF2摩爾比為1/3~3/1,以K為基準(zhǔn)時(shí)溶質(zhì)與溶劑摩爾比為1/4~1/2,將原料按上述比例混合均勻,升溫700~800℃至原料完全熔化,恒溫1~20小時(shí)后,迅速降溫至飽和溫度以上5~10℃,將籽晶固定在籽晶桿的下端與熔體液面接觸開始晶體生長(zhǎng);籽晶桿的旋轉(zhuǎn)速度為10~20轉(zhuǎn)/分,降溫至飽和溫度,然后按1~5℃/天的速率緩慢降溫;降溫結(jié)束后將晶體提離液面,以10~30℃/小時(shí)的速率降至室溫,獲得本發(fā)明的尺寸為12×10×6mm氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體。?
6.一種權(quán)利要求3所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的用途,其特征在于:該非線性光學(xué)晶體用于激光器激光輸出的頻率變換。
7.一種權(quán)利要求6所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的用途,其特征在于:該非線性光學(xué)晶體用于對(duì)波長(zhǎng)為1.064μm的激光光束產(chǎn)生2倍頻或3倍頻或4倍頻或5倍頻的諧波光輸出。
8.一種權(quán)利要求6所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的用途,其特征在于:該非線性光學(xué)晶體用于產(chǎn)生波長(zhǎng)低于200nm的諧波光輸出。
9.一種權(quán)利要求6所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的用途,其特征在于:所述的非線性光學(xué)晶體為用于紫外區(qū)的諧波發(fā)生器,光參量與放大器件及光波導(dǎo)器件。
10.一種權(quán)利要求6所述的氟碳酸鍶鉀非線性光學(xué)晶體的用途,其特征在于:所述的非線性光學(xué)晶體為從紅外到紫外區(qū)的光參量與放大器件。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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