[發明專利]超級電容器電壓均衡電路、單級和二級超級電容器模塊

無效

• 申請號: 201110302453.6
• 申請日: 2011-10-09
• 公開（公告）號: CN102354621A
• 公開（公告）日: 2012-02-15
• 發明（設計）人: 李應生
• 申請（專利權）人: 黃淮學院
• 主分類號: H01G9/155
• 分類號: H01G9/155;H01G9/14;H01G9/26;H01G9/28
• 代理公司: 鄭州紅元帥專利代理事務所(普通合伙) 41117
• 代理人: 黃軍委

1.一種超級電容器電壓均衡電路，其特征在于：它包括有兩個運算放大器和兩個N溝道增強型MOS管；其中，第一N溝道增強型MOS管的柵極連接第一運算放大器的輸出端，第二N溝道增強型MOS管的柵極連接第二運算放大器的輸出端；第一運算放大器的反相輸入端連接第二運算放大器的同相輸入端，第二運算放大器的反相輸入端連接第一運算放大器的同相輸入端。

2.根據權利要求1所述的超級電容器電壓均衡電路，其特征在于：第一N溝道增強型MOS管和第二N溝道增強型MOS管的漏極分別連接有一個限流電阻。

3.一種單級超級電容器模塊，其特征在于：它包括有權利要求1所述的超級電容器電壓均衡電路、兩個超級電容器和四個分壓電阻；其中，第一超級電容器的一端接第一分壓電阻的一端，第一分壓電阻的另一端接第二分壓電阻的一端，第二分壓電阻的另一端接第一超級電容器的另一端，第二超級電容器的一端接第三分壓電阻的一端，第三分壓電阻的另一端接第四分壓電阻的一端，第四分壓電阻的另一端接第二超級電容器的另一端，第一超級電容器的另一端與第二超級電容器的一端相連；所述超級電容器電壓均衡電路的第一運算放大器的同相輸入端接到第一分壓電阻和第二分壓電阻之間，所述超級電容器電壓均衡電路的第二運算放大器的同相輸入端接到第三分壓電阻和第四分壓電阻之間；所述超級電容器電壓均衡電路的第一N溝道增強型MOS管的漏極和源極分別連接到第一超級電容器的兩端，所述超級電容器電壓均衡電路的第二N溝道增強型MOS管的漏極和源極分別連接到第二超級電容器的兩端；第一超級電容器的一端作為單級超級電容器模塊的a引出端，第二超級電容器的另一端作為單級超級電容器模塊的b引出端。

4.一種二級超級電容器模塊，其特征在于：它包括有權利要求1所述的超級電容器電壓均衡電路和兩個權利要求3所述的單級超級電容器模塊；其中，第一單級超級電容器模塊的b引出端接第二單級超級電容器模塊的a引出端；所述超級電容器電壓均衡電路的第一運算放大器的同相輸入端接到第一單級超級電容器模塊的第二分壓電阻和第三分壓電阻之間，所述超級電容器電壓均衡電路的第二運算放大器的同相輸入端接到第二單級超級電容器模塊的第二分壓電阻和第三分壓電阻之間；所述超級電容器電壓均衡電路的第一N溝道增強型MOS管的漏極和源極分別連接到第一單級超級電容器模塊的a引出端和b引出端，所述超級電容器電壓均衡電路的第二N溝道增強型MOS管的漏極和源極分別連接到第二單級超級電容器模塊的a引出端和b引出端。