[發明專利]組合EEPROM/閃速非易失性存儲器電路有效
| 申請號: | 201110302419.9 | 申請日: | 2011-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN102446923A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 森克·奧斯特敦;克里斯托夫·漢斯·約阿西姆·加爾貝;安德烈亞斯·嫩特維格;尼爾斯·桑德斯費爾德 | 申請(專利權)人: | NXP股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/115 | 分類號: | H01L27/115 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組合 eeprom 非易失性存儲器 電路 | ||
技術領域
本發明的實施例一般地涉及電子系統和方法,并且更具體地涉及存儲器電路和訪問存儲器電路的方法。
背景技術
非易失性存儲器電路存儲數據,并且即使在非易失性存儲器電路斷電時也能保留所存儲的數據。非易失性存儲器電路中存儲的數據通常包括需要按照相對較小的單位為基礎進行訪問的數據和只需要按照相對較大的單位為基礎進行訪問的數據。然而,需要按照相對較小的單位為基礎進行訪問的數據通常比只需要按照相對較大的單位為基礎進行訪問的數據占據更大的芯片面積。因此需要提供一種存儲器電路和操作存儲器電路的方法,其能夠使用減小的芯片面積來容納需要按照相對較小的單位為基礎進行訪問的數據和只需要按照相對較大的單位為基礎進行訪問的數據兩者。
發明內容
非易失性存儲器電路包括存儲器行和支持電路,其中至少一個存儲器行包括至少一個電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)存儲器元件和至少一個閃速存儲器元件。EEPROM和閃速元件配置為共享一部分支持電路并且可以并行地訪問。
在實施例中,非易失性存儲器電路包括存儲器行以及與存儲器行相連的支持電路,其中至少一個存儲器行的包括至少一個EEPROM存儲器元件和至少一個閃速存儲器元件。所述至少一個EEPROM元件和所述至少一個閃速元件配置為并行地訪問。所述至少一個存儲器行中的所述至少一個EEPROM元件和所述至少一個閃速元件共享支持電路的一部分。
在實施例中,非易失性存儲器電路包括:EEPROM存儲器矩陣;閃速存儲器矩陣;地址總線,配置用于接收存儲器地址;列解碼器,與地址總線相連,并且配置用于選擇與存儲器地址相對應的存儲器元件位于哪一存儲器列;以及行解碼器,與地址總線相連,并且配置用于選擇與存儲器地址相對應的存儲器元件位于哪一存儲器行。非易失性存儲器電路的至少一行包括來自EEPROM存儲器矩陣的至少一個EEPROM存儲器元件和來自閃速存儲器矩陣的至少一個閃速存儲器元件。所述至少一個EEPROM存儲器元件和來自閃速存儲器矩陣的所述至少一個閃速存儲器元件配置為并行地訪問。
在實施例中,對非易失性存儲器電路中存儲的數據進行訪問的方法包括:選擇存儲器電路的存儲器行中的所有EEPROM存儲器單元和所有閃速存儲器單元;向選擇的閃速存儲器單元提供第一電壓;向選擇的EEPROM存儲器單元中的至少一部分提供第二電壓;以及訪問選擇的閃速存儲器單元中存儲的數據以及選擇的EEPROM存儲器單元的所述至少一部分中存儲的數據。
附圖說明
根據結合附圖的以下詳細描述,本發明實施例的其他方面和優點將變得清楚明白,其中附圖作為本發明的原理示例而示出。
圖1示出了根據本發明實施例的非易失性存儲器電路的示意性方框圖。
圖2示出了圖1所示的非易失性存儲器電路中的兩個存儲器行的實施例。
圖3示出了對于單一存儲器行,圖1所示的行解碼器的實施例。
圖4是根據本發明實施例的對非易失性存儲器電路中存儲的數據進行訪問的方法的流程圖。
貫穿說明書,類似的參考數字可以用于表示類似的元件。
具體實施方式
應該理解,這里一般性描述并且在附圖中所示的實施例的部件可以按照多種不同的配置來設置和設計。因此,以下對附圖中所示的各實施例的詳細描述并不意味著限制本公開的范圍,而只是表示各實施例。盡管在附圖中展現了實施例的各個方面,但是除非另有聲明,附圖不一定按比例繪制。
所描述的實施例在所有方面均應被認為只是說明性而不是限制性的。因此,本發明的范圍由所附權利要求而不是由這種詳細描述來表示。落在權利要求的等價含義和范圍內的所有變化都包括在權利要求的范圍之內。
貫穿該說明書對于特征、優點或類似語言的引用并非暗示著利用本發明可以實現的所有特征和優點應該在任一單獨實施例中實現。相反,提到特征和優點的語言應該被理解為意思是結合實施例描述的特定特征、優點或特性包括在至少一個實施例中。因此,貫穿該說明書的對于特征和優點的討論以及類似語言可以但并非一定指的是相同實施例。
另外,可以在一個或多個實施例中按照任意合適的方式組合所描述的本發明的特征、優點和特性。在看到這些描述時,相關領域的普通技術人員能夠理解:無需特定實施例的一個或多個特定特征和優點,也可以實踐本發明。在其他實例中,可以理解的是,在某些實施例中可以存在在本發明的所有實施例中都不存在的附加特征和優點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





