[發明專利]太陽能電池片及其熱處理工藝

有效

• 申請號: 201110301536.3
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102315332A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 王紅芳;熊景峰;胡志巖;李高非;安海嬌;于全慶;劉偉
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種太陽能電池片熱處理工藝，其特征在于，包括：

a)從經過印刷燒結后的太陽能電池片中，篩選出轉換效率低于18％，且填充因子在70％以上的電池片；

b)對篩選出的電池片進行低溫退火，以提高所述篩選出的電池片的轉換效率，所述低溫退火的溫度低于正常的燒結溫度；

c)對經低溫退火后的電池片進行分揀測試，篩選出填充因子下降的電池片；

d)對步驟c)中篩選出的電池片進行重新燒結，以提高所述電池片的填充因子，所述重新燒結的溫度與正常燒結溫度相同；

e)對經重新燒結的電池片進行分揀測試，篩選出轉換效率低于18％的電池片，返回步驟b)，直至篩選出的大部分或全部電池片的轉換效率均高于18％，且填充因子在70％以上。

2.根據權利要求1所述的熱處理工藝，其特征在于，所述電池片的基底材料為單晶硅，所述篩選出的電池片為因單晶硅拉制過程中引入的缺陷導致的轉換效率低的太陽能電池片。

3.根據權利要求2所述的熱處理工藝，在印刷燒結之前還包括：電池片表面的制絨過程、擴散制結過程和周邊等離子刻蝕過程，其特征在于，所述擴散制結過程為，在電池片的正面進行擴散制結，在電池片的背面擴散制作背場。

4.根據權利要求3所述的熱處理工藝，進行周邊等離子刻蝕過程后還包括，沉積減反射膜過程和印刷電極過程，其特征在于，所述沉積減反射膜過程為，在電池片的正面和背面先后均進行減反射膜的沉積。

5.根據權利要求4所述的熱處理工藝，其特征在于，制作所述電池片的基底材料為N型單晶硅。

6.根據權利要求5所述的熱處理工藝，其特征在于，所述低溫退火的時間在30s-4min以內。

7.根據權利要求6所述的熱處理工藝，其特征在于，所述低溫退火的溫度在250℃-550℃以內。

8.根據權利要求7所述的熱處理工藝，其特征在于，所述減反射膜為富氫的氮化硅薄膜、富氫的氮氧化硅薄膜和富氫的氮化鈦薄膜中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的熱處理工藝，其特征在于，所述低溫退火過程可在非氧化性氣氛下進行。

10.一種采用權利要求1-9任一項所述的熱處理工藝制作的太陽能電池片，所述太陽能電池片的轉換效率在18％以上，且填充因子在70％以上。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片的基底材料為單晶硅，該電池片的正面和背面均具有富氫的減反射膜。