[發(fā)明專利]閃存單元結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110301446.4
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103035648A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王軍;周瑋;蔡建祥;許宗能
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/423;G11C16/04
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種閃存單元結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體基層和依次層疊在所述半導(dǎo)體基層上的隧穿氧化層、浮柵、絕緣介質(zhì)層和控制柵，其特征在于，所述浮柵的側(cè)壁表面植入有阻擋離子層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述浮柵具有浮柵保持載流子的狀態(tài)，所述浮柵的側(cè)壁表面的阻擋離子層的離子與所述浮柵保持的載流子電荷類型相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閃存單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述浮柵中部保持的載流子為電子，所述阻擋離子層的離子為三價元素的離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的閃存單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋離子層的離子為硼離子。

5.一種權(quán)利要求1所述的閃存單元結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：

在半導(dǎo)體基層形成依序?qū)盈B的隧穿氧化層和浮柵；

在所述浮柵上形成依序?qū)盈B的絕緣介質(zhì)層和控制柵；

向所述浮柵的側(cè)壁植入阻擋離子，形成所述浮柵的側(cè)壁表面的阻擋離子層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存單元結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述浮柵的側(cè)壁植入的阻擋離子采用離子注入法植入。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃存單元結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在所述閃存單元結(jié)構(gòu)的浮柵形成之后，沉積一層包含阻擋離子的材料層覆蓋所述浮柵，所述阻擋離子從所述材料中擴散植入所述浮柵側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的閃存單元結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述阻擋離子為硼離子，所述包含阻擋離子的材料為含硼氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的閃存單元結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述含硼氧化硅采用化學(xué)氣相法沉積，所述硼離子通過快速退火從含硼氧化硅擴散至所述浮柵側(cè)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的閃存單元結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述快速退火后的含硼氧化硅采用濕法去除。