[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110301067.5
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103021947A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供一包括核心器件區域和I/O區域的半導體襯底，在所述核心器件區域上形成有至少一個金屬柵極，在所述I/O區域上形成有至少一個多晶硅柵極，所述金屬柵極和多晶硅柵極兩側的半導體襯底上形成有第一介質層；

在所述金屬柵極、多晶硅柵極和第一介質層上形成氮化硅層；

在所述氮化硅層上形成第一圖案化光刻膠，并以所述第一圖案化光刻膠為掩膜刻蝕所述氮化硅層，以暴露出所述多晶硅柵極的表面，再去除所述第一圖案化光刻膠；

在所述氮化硅層和多晶硅柵極上形成第二圖案化光刻膠，并以所述第二圖案化光刻膠為掩膜刻蝕所述氮化硅層和第一介質層，形成凹槽，所述凹槽暴露所述半導體襯底上待形成金屬硅化物層的區域，再去除所述第二圖案化光刻膠；

同時在所述多晶硅柵極和所述半導體襯底的待形成金屬硅化物層的區域上形成金屬硅化物層；

在所述凹槽內形成填充層；

在所述核心器件區域和I/O區域上形成第二介質層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二介質層之后，還包括：

形成第三圖案化光刻膠，并以所述第三圖案化光刻膠為掩膜刻蝕所述第二介質層，以形成通孔，再去除所述第三圖案化光刻膠和填充層；

在所述通孔內形成金屬層。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的材質為鎳硅化物、鈷硅化物、鎢硅化物、鈦硅化物以及鉭硅化物中的一種或其組合。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，同時在所述多晶硅柵極和所述半導體襯底的待形成金屬硅化物層的區域上形成金屬硅化物層的步驟中，包括：

利用化學氣相沉積或物理氣相沉積法，在所述多晶硅柵極和所述半導體襯底的待形成金屬硅化物層的區域上沉積金屬層；

進行退火工藝。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度為500℃～800℃。

6.如權利要求1至5中任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的厚度為60埃～150埃。

7.如權利要求1至5中任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述填充層的材質為有機硅底部抗反射涂層或無機氧抗反射涂層。

8.如權利要求1至5中任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述核心器件區域上形成有至少一個NFET金屬柵極和至少一個PFET金屬柵極。

9.如權利要求1至5中任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一介質層和第二介質層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或其組合。