[發(fā)明專利]具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110300295.0
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN103021856A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鐘樹理;朱超群;萬祎;曾愛平;陳宇
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底之上分別形成第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間，且所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)為第一摻雜類型，所述第三摻雜區(qū)為第二摻雜類型，其中，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度，且所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度與所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度相互匹配；

向所述第三摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的一部分至少兩次注入第二摻雜類型的雜質(zhì)離子以形成第二摻雜類型的體區(qū)，并進(jìn)行退火；

在所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)和體區(qū)之上形成掩膜層；

刻蝕所述掩膜層以形成有源區(qū)，其中，所述有源區(qū)包含在所述體區(qū)中；

在所述第二摻雜類型的體區(qū)中形成第一摻雜類型的源極；

在所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、體區(qū)、源極上方形成介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層中形成接觸孔區(qū)域；和

形成金屬層，所述金屬層填充所述接觸孔區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述至少兩次注入第二摻雜類型的雜質(zhì)離子中每次注入能量不同。

3.如權(quán)利要求1所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二摻雜類型的雜質(zhì)離子的注入次數(shù)為3-5次。

4.如權(quán)利要求1所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型或P型中的一種，所述第二摻雜類型為N型或P型中的另一種。

5.如權(quán)利要求1所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)的厚度由所述半導(dǎo)體器件的耐壓能力確定。

6.一種具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底為重?fù)诫s的第一摻雜類型；

分別形成在所述半導(dǎo)體襯底之上的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)之間，且所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)為第一摻雜類型，所述第三摻雜區(qū)為第二摻雜類型，其中，所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度，且所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度與所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度相互匹配；

形成在所述第三摻雜區(qū)頂部及所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)頂部部分區(qū)域的體區(qū)，所述體區(qū)為第二摻雜類型，其中，所述體區(qū)通過至少兩次注入第二摻雜類型的雜質(zhì)離子，及退火形成；

形成在所述體區(qū)之中的第一摻雜類型的源極；

形成在所述體區(qū)之上的接觸孔區(qū)域；以及

填充所述接觸孔區(qū)域的金屬層。

7.如權(quán)利要求6所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述至少兩次注入第二摻雜類型的雜質(zhì)離子中每次注入能量不同。

8.如權(quán)利要求6所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二摻雜類型的雜質(zhì)離子的注入次數(shù)為3-5次。

9.如權(quán)利要求6所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型或P型中的一種，所述第二摻雜類型為N型或P型中的另一種。

10.如權(quán)利要求6所述的具有超級結(jié)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)的厚度由所述半導(dǎo)體器件的耐壓能力確定。