[發(fā)明專利]分離柵閃存的有源區(qū)制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110297802.X | 申請日： | 2011-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN103021855A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王友臻;周儒領(lǐng) | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分離 閃存 有源 制造 方法 | ||
1.一種分離柵閃存的有源區(qū)制作方法，其特征在于，該方法包括：
在提供的半導(dǎo)體襯底上沉積浮柵層，對浮柵層采用光刻和刻蝕工藝形成浮柵，在源極線SL區(qū)域內(nèi)，在刻蝕得到浮柵過程中，SL區(qū)域采用第一掩膜層遮擋，SL區(qū)域內(nèi)的浮柵層沒有被刻蝕掉；
在裸露的半導(dǎo)體襯底及浮柵層表面，依次沉積氧氮氧層、控制柵多晶硅層、控制柵氧化層和第二掩膜層后，采用光刻和刻蝕工藝在浮柵上形成控制柵，浮柵和控制柵之間通過氧氮氧層隔離，形成存儲單元，在SL區(qū)域，控制柵多晶硅層也被同時部分刻蝕掉；
采用第二掩膜層遮擋已經(jīng)制作好的存儲單元，然后對SL區(qū)域繼續(xù)刻蝕，依次采用刻蝕的方式去除剩余的控制柵多晶硅層、氧氮氧層及浮柵層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮柵層由浮柵氧化層及浮柵多晶硅層構(gòu)成，浮柵氧化層為100埃左右，浮柵多晶硅層為1.2千埃左右。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成浮柵的過程為：在浮柵上涂覆光刻膠層，然后以浮柵圖案為掩膜，曝光和顯影后在光刻膠層上形成浮柵圖案，然后以具有浮柵圖案的光刻膠層為掩膜，刻蝕浮柵層，形成浮柵。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜層為光刻膠層，在所述形成浮柵過程中的涂覆光刻膠層時形成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧氮氧層的厚度為170埃，控制柵多晶硅層的厚度為2千埃，控制柵氧化層為200埃左右。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成控制柵的過程為：光刻第二掩膜層，在掩膜層中形成控制柵圖案，該控制柵圖案位于所形成的浮柵上方，然后以具有控制柵圖案的第二掩膜層為遮擋，對控制柵多晶硅層進(jìn)行刻蝕，得到控制柵。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
