[發(fā)明專利]田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器、制造方法及封裝工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110296455.9 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102354027A | 公開(公告)日: | 2012-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃衍堂;鮑日焰;王曉花 | 申請(專利權(quán))人: | 福州大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/293 | 分類號: | G02B6/293;G02B6/122;G02B6/138 |
| 代理公司: | 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學(xué)俊 |
| 地址: | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 田徑場 形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器 制造 方法 封裝 工藝 | ||
1.?一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器,其特征在于,它包括光纖(1)、田徑場形微芯環(huán)腔(2),田徑場形微芯環(huán)腔(2)垂直直邊處的中截面(21)的直邊處小圓環(huán)(22)直徑大于錐光纖錐腰(11)的直徑,光纖(1)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)間隔布置,相鄰兩條光纖的錐腰(11)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)的直邊處小圓環(huán)平行(22)相切。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器,其特征在于,所述復(fù)用器還包括一個承載基片-硅片(4),在硅片(4)上制有若干條平行的能容納光纖(1)的V型槽(41),兩V型槽中心間距為田徑場形微芯環(huán)腔(2)的半圓形直徑與錐光纖的錐腰(11)直徑的和,錐光纖(1)固定于V型槽(41)中,田徑場形微芯環(huán)腔(2)設(shè)在兩V型槽(41)之間的中部,相鄰兩條光纖的錐腰(11)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)的直邊處小圓環(huán)(22)相切。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器,其特征在于,承載硅片(4)的材料選用晶向為<100>的單晶硅,V型槽(41)的頂部寬度約25-30微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器,其特征在于,所述承載硅片(4)上刻蝕有二條平行的V型槽(41),V型槽(41)的頂部寬度為光纖外徑的1.22倍,錐光纖的錐腰(11)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)在同一水平面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器,其特征在于,所述復(fù)用器由三條光纖(1)制成的錐光纖、兩個田徑場形微芯環(huán)腔(2)、一個承載硅片(4)組成,承載硅片(4)上刻蝕有三條平行的V型槽(41)和兩個田徑場形微芯環(huán)腔(2),錐光纖的錐腰(11)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)在同一水平面上,相鄰兩條光纖的錐腰(11)分別與田徑場形微芯環(huán)腔(2)直邊處的小半圓環(huán)(22)相切。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器,其特征在于,田徑場形微芯環(huán)腔(2)的周長???????????????????????????????????????????????μm,其中Δυ為信道間隔,c為光在真空中的速度,n制作田徑場形微芯環(huán)腔的介質(zhì)折射率,F(xiàn)SR為田徑場形微芯環(huán)腔自由光譜范圍,與其最佳匹配的錐光纖錐腰直徑為1-3μm,周長的選擇包括直邊長度和弧形邊直徑,在設(shè)計尺寸的同時,須滿足光在腔的直邊處耦合時引入的相位匹配。
7.一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器制造方法,該復(fù)用器包括錐光纖(1)、田徑場形微芯環(huán)腔(2)、承載硅片(4)的制作,其特征在于,承載硅片(4)的制作是利用晶向為<100>單晶硅的各向異性腐蝕特性制作V型槽(41)和各向同性腐蝕特性制作SiO2圓盤,包括以下步驟:設(shè)計用于光刻的掩模板,先將單晶硅片上用氧化法生長出SiO2層,涂正型光刻膠,烘干,蓋上掩模板,紫外線曝光,對硅片進行顯影、漂洗、烘干、用氫氟酸腐蝕SiO2,去除光刻膠,用硅腐蝕物進行腐蝕,形成放置光纖的V型槽和制作田徑場形微芯環(huán)腔的SiO2盤;其中田徑場形微芯環(huán)腔(2)的制作方法為:將SiO2盤用激光進行高溫融化,在表面張力作用下冷卻后形成田徑場形微芯環(huán)腔(2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器制造方法,其特征在于,組裝過程為錐光纖(1)放置入V型槽(41):首先將錐光纖(1)固定在V形槽(41)上,然后將V形槽(41)和制作好田徑場形微芯環(huán)腔(2)的承載硅片(4)各固定在一個微調(diào)節(jié)架上,分別調(diào)節(jié)微調(diào)節(jié)架,同時在顯微鏡下觀察錐光纖(1)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)的位置,調(diào)整使得錐光纖錐腰(11)處與環(huán)腔(2)的直邊相切,錐度部分落在V型槽(41)內(nèi);在錐外V型槽(41)卡住部分處點上紫外固化膠,用紫外曝光燈照射30秒,將環(huán)腔(2)與錐光纖(1)固定,錐光纖(1)的外部可適當(dāng)彎曲采用同樣的方法固定于另外的承載基片(比如板)上,硅片則固定在此上。
9.一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器的封裝工藝,其特征在于,封裝時選擇溫度特性與錐光纖(1)與田徑場形微芯環(huán)腔(2)材料相匹配,折射率也應(yīng)低于光纖折射率的材料作為填充材料,可供采用的膠合劑包括丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種錐光纖田徑場形微芯環(huán)腔光梳狀波分復(fù)用器的封裝工藝,其特征在于,封裝材料選用硅彈性樹脂、氟化聚合物、硅油和甘油,其中硅彈性樹脂能最適合于作填料兼包層材料。
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