[發明專利]一種碲化鉍基熱電元件及其制備方法無效
| 申請號: | 201110295849.2 | 申請日: | 2011-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102412366A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發明(設計)人: | 陳立東;李菲;黃向陽;柏勝強;吳汀;江莞 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | H01L35/32 | 分類號: | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司: | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 何葆芳 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 碲化鉍基 熱電 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種碲化鉍基熱電元件,包括電極層、阻擋層和碲化鉍基熱電層,且阻擋層位于電極層和碲化鉍基熱電層之間;其特征在于:所述的阻擋層材料為金屬銻或金屬銻與其它金屬的合金。
2.根據權利要求1所述的碲化鉍基熱電元件,其特征在于:所述的電極層材料為金屬鋁、金屬銅、過渡金屬或其合金中的任意一種。
3.根據權利要求2所述的碲化鉍基熱電元件,其特征在于:所述的電極層材料為金屬鋁、金屬銅、金屬鎳、鋁合金、銅合金或鎳合金。
4.根據權利要求1所述的碲化鉍基熱電元件,其特征在于:所述的阻擋層材料為金屬銻、AlSb、NiSb或CuSb。
5.根據權利要求1所述的碲化鉍基熱電元件,其特征在于:所述的碲化鉍基熱電層材料為N型碲化鉍基熱電材料或P型碲化鉍基熱電材料。
6.根據權利要求1所述的碲化鉍基熱電元件,其特征在于:所述阻擋層的厚度為0.1~3mm。
7.根據權利要求1所述的碲化鉍基熱電元件,其特征在于:所述電極層的厚度為0.3~10mm。
8.一種權利要求1所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:分別稱取碲化鉍基熱電層材料、阻擋層材料及電極層材料;按照碲化鉍基熱電層材料、阻擋層材料、電極層材料的順序依次裝入石墨模具中;在真空中進行熱壓燒結。
9.根據權利要求8所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的阻擋層材料和電極層材料均以壓制片形狀裝入石墨模具中。
10.根據權利要求9所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的壓制片形狀是指直徑與石墨模具的內徑相匹配的圓柱狀片。
11.根據權利要求10所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的石墨模具的內徑為5~20mm。
12.根據權利要求8所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的真空是指真空度為1~20Pa。
13.根據權利要求8所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的熱壓燒結條件為:升溫速率為80~150℃/min,燒結溫度為300~600℃,燒結壓力為30~70MPa,保溫時間在5~100min。
14.根據權利要求13所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的熱壓燒結條件為:升溫速率為80~120℃/min,燒結溫度為400~500℃,燒結壓力為40~60MPa,保溫時間在5~20min。
15.根據權利要求8所述的碲化鉍基熱電元件的制備方法,其特征在于:所述的熱壓燒結工藝采用放電等離子體燒結工藝。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海硅酸鹽研究所,未經中國科學院上海硅酸鹽研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110295849.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





