[發明專利]成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜裝置

無效

• 申請號: 201110295469.9
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102447005A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 巖田寬
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種成膜基板的制造方法，制造在玻璃基板上成膜有鉬的成膜基板，其特征在于，該制造方法具備：

第1成膜工序，在含有氧的第1氣氛中，在所述玻璃基板的表面成膜第1鉬層；及

第2成膜工序，在含氧率低于所述第1氣氛的第2氣氛中，在所述第1鉬層的表面成膜第2鉬層。

2.如權利要求1所述的成膜基板的制造方法，其特征在于，

所述第1成膜工序中，在含氧率為0.3％～5.0％的所述第1氣氛中，成膜所述第1鉬層。

3.如權利要求1或2所述的成膜基板的制造方法，其特征在于，

所述第2成膜工序中，比所述第1鉬層更厚地成膜所述第2鉬層。

4.一種成膜基板，其特征在于，具備：

玻璃基板；

第1鉬層，成膜于所述玻璃基板的表面且含有氧；及

第2鉬層，成膜于所述第1鉬層的表面且氧含有量少于所述第1鉬層。

5.如權利要求4所述的成膜基板，其特征在于，

所述第2鉬層的方塊電阻值低于所述第1鉬層的方塊電阻值。

6.如權利要求5所述的成膜基板，其特征在于，

所述第2鉬層厚于所述第1鉬層。

7.一種在玻璃基板成膜鉬的成膜裝置，其特征在于，具備：

第1成膜室，在所述玻璃基板的表面成膜第1鉬層；

第2成膜室，在所述第1鉬層的表面成膜第2鉬層；及

氧濃度控制部，將所述第1成膜室內設為含有氧的第1氣氛，而將所述第2成膜室內設為含氧率低于所述第1氣氛的第2氣氛，

所述第1成膜室在所述第1氣氛下成膜所述第1鉬層，

所述第2成膜室在所述第2氣氛下成膜所述第2鉬層。

8.如權利要求7所述的成膜裝置，其特征在于，

所述第1成膜室兼作所述第2成膜室。