[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110295408.2
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102593146A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 金大宇
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種有機發光顯示裝置，包括：

基板，具有電容區域；

緩沖層，位于所述基板上；

半導體層，位于所述電容區域的所述緩沖層的上部；

柵絕緣膜，形成于所述半導體層的上部；以及

透明電極，形成于所述電容區域的所述柵絕緣膜的上部；

其中，在截面上所述透明電極的寬度小于所述半導體層的寬度。

2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述透明電極由選自ITO和IZO中的一種以上物質形成。

3.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述半導體層由多晶硅形成。

4.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述透明電極和所述半導體層的寬度差在0.6μm以下。

5.一種有機發光顯示裝置，包括：

基板，具有電容區域以及晶體管區域；

緩沖層，位于所述基板上；

半導體層，位于所述電容區域的所述緩沖層的上部和所述晶體管區域的所述緩沖層的上部；

柵絕緣膜，形成于所述半導體層的上部；

透明電極，形成于所述電容區域的所述柵絕緣膜的上部和所述晶體管區域的所述柵絕緣膜的上部；

柵電極，形成于所述晶體管區域的所述透明電極的上部；以及

源/漏電極，與所述柵電極絕緣，位于所述柵電極的上部，通過接觸孔與所述晶體管區域的所述半導體層連接；

其中，在截面上所述電容區域的所述透明電極的寬度小于所述電容區域的所述半導體層的寬度。

6.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述柵電極是由鋁、鉻-鋁合金或者鉬-鋁合金中的任一個形成的單層或者多層結構。

7.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述源/漏電極是由鋁、鉻-鋁合金或者鉬-鋁合金中的任一個形成的單層或者多層結構。

8.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述透明電極由選自ITO和IZO中的一種以上物質形成。

9.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述半導體層由多晶硅形成。

10.根據權利要求5所述的有機發光顯示裝置，其中，

所述透明電極和所述半導體層的寬度差在0.6μm以下。

11.一種有機發光顯示裝置的制造方法，包括：

在緩沖層的上部形成半導體層，所述緩沖層形成于具有電容區域的基板的所述電容區域上；

在所述半導體層的上部依次形成柵絕緣膜、透明電極以及柵電極；

在所述電容區域的上部形成第一蝕刻防止膜；

蝕刻柵電極，被蝕刻的所述柵電極位于除了所述第一蝕刻防止膜之外的區域；以及

去除所述第一蝕刻防止膜并且將所述柵電極作為掩模板進行蝕刻以使所述透明電極相對于所述柵電極向內側縮進。

12.根據權利要求11所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其中，

所述透明電極向所述柵電極的內側縮進0.6μm以下。

13.根據權利要求11所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其中，所述蝕刻柵電極的步驟為：

以用于選擇性蝕刻所述柵電極的蝕刻液進行濕法蝕刻。

14.根據權利要求11所述的有機發光顯示裝置的制造方法，其中，所述蝕刻成向內側縮進的步驟為：

以用于選擇性蝕刻所述透明電極的蝕刻液進行濕法蝕刻。