[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201110294074.7
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102629577A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 戴天明;薛建設;姚琪;張鋒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成金屬層，通過第一次構圖工藝處理得到柵線和柵極；

在所述柵線和柵極上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成石墨烯層，通過第二次構圖工藝處理及氫化處理，在所述柵極的上方得到由石墨烯構成的半導體有源層；

在所述石墨烯層上通過第三次構圖工藝處理得到由石墨烯構成的數據線、源極、漏極和像素電極；其中，所述源極與所述半導體有源層相接觸，所述漏極與所述半導體有源層相接觸，形成TFT溝道，所述像素電極與所述漏極相接觸；

在所述數據線、源極、半導體有源層、漏極、像素電極之上形成保護層；

在所述保護層上，在所述像素電極上方，形成公共電極。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板制造方法，其特征在于，在所述柵絕緣層上形成石墨烯層，通過第二次構圖工藝處理及氫化處理，在所述柵極的上方得到由石墨烯構成的半導體有源層包括：

在所述柵絕緣層上，利用等離子體增強化學氣相沉積法沉積一層石墨烯材料，或者旋涂一層水溶性單層或多層石墨烯材料，形成石墨烯層；

在所述石墨烯層上涂覆光刻膠，經過曝光、顯影后露出溝道區的石墨烯；

利用H₂，或H₂和Ar₂的混合氣體對所述溝道區的石墨烯進行氫化處理；

剝離掉剩余的光刻膠，在所述柵極的上方得到由石墨烯構成的半導體有源層。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述公共電極由氧化銦錫或石墨烯構成。

4.根據權利要求1所述的TFT陣列基板制造方法，其特征在于，所述半導體有源層的寬度小于所述柵極的寬度，使得形成TFT溝道的所述源極與所述半導體有源層相接觸的區域，以及所述漏極與所述半導體有源層相接觸的區域均位于所述柵極的上方。

5.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上形成有柵線和柵極；

在所述柵線和柵極上形成有柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有由石墨烯構成的數據線、源極、半導體有源層、漏極和像素電極；其中，所述源極與所述半導體有源層相接觸，所述漏極與所述半導體有源層相接觸，形成TFT溝道，所述像素電極與所述漏極相接觸；

在所述數據線、源極、半導體有源層、漏極和像素電極上形成有保護層；

在所述保護層上，在所述像素電極上方，形成有公共電極。

6.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述半導體有源層的石墨烯為經過氫化處理后的石墨烯層。

7.根據權利要求5或6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極層由氧化銦錫或石墨烯構成。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求5～7任一項所述的TFT陣列基板。