[發明專利]濕浸式光刻系統無效
| 申請號： | 201110291288.9 | 申請日： | 2006-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN102331686A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發明（設計）人： | 張慶裕;林本堅 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪紅 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濕浸式 光刻 系統 | ||
1.一種濕浸式光刻系統，包括：
濕浸液體密封反應器，包括多個表面；
濕浸液體，放置在該濕浸液體密封反應器內；
襯底夾片臺，放置在該濕浸液體密封反應器內；
鏡頭；以及
降低污染附著的涂層，涂布在所述襯底夾片臺及鏡頭的多個表面的一個或多個表面上，使所述襯底夾片臺及鏡頭的所有涂層表面均為疏水性，其中所述降低污染附著的涂層包含聚乙烯、聚氯乙烯或前述的組合。
2.如權利要求1所述的濕浸式光刻系統，還包括在濕浸液體密封反應器的多個表面上涂布所述降低污染附著的涂層。
3.如權利要求1所述的濕浸式光刻系統，還包括在濕浸液體密封反應器的多個表面上涂布二氧化硅涂層。
4.如權利要求1所述的濕浸式光刻系統，其中所述降低污染附著的涂層設置成具有大于50°的接觸角。
5.如權利要求1所述的濕浸式光刻系統，其中涂布在所述襯底夾片臺的一個或多個表面上的降低污染附著的涂層與涂布在鏡頭上的一個或多個表面上的降低污染附著的涂層具有不同的厚度。
6.一種濕浸式光刻系統，包括：
濕浸液體密封反應器，包括多個表面；
濕浸液體，放置在該濕浸液體密封反應器內；
襯底夾片臺，放置在該濕浸液體密封反應器內；
鏡頭；以及
降低污染附著的涂層，涂布在所述襯底夾片臺及鏡頭的多個表面的一個或多個表面上，使所述襯底夾片臺及鏡頭的所有涂層表面均為親水性，其中所述降低污染附著的涂層包含二氧化硅。
7.如權利要求6所述的濕浸式光刻系統，還包括在濕浸液體密封反應器的多個表面上涂布所述降低污染附著的涂層。
8.如權利要求6所述的濕浸式光刻系統，還包括在濕浸液體密封反應器的多個表面上涂布由聚乙烯、聚氯乙烯或前述的組合所組成的塗層。
9.如權利要求6所述的濕浸式光刻系統，其中所述降低污染附著的涂層設置成具有大于50°的接觸角。
10.如權利要求6所述的濕浸式光刻系統，其中涂布在所述襯底夾片臺的一個或多個表面上的降低污染附著的涂層與涂布在鏡頭上的一個或多個表面上的降低污染附著的涂層具有不同的厚度。
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