[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110287309.X
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN102456580A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 金相基;具珍根;俞省旭;樸鐘文;李鎮浩;羅景一;梁壹錫;金鐘大
• 申請（專利權）人: 韓國電子通信研究院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李昕巍

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在第一導電類型的半導體襯底中形成溝槽；

在所述溝槽的側壁和底表面上形成含溝槽摻雜劑的層，所述含溝槽摻雜劑的層包括第二導電類型的摻雜劑；

通過將所述含溝槽摻雜劑的層中的所述摻雜劑擴散到所述半導體襯底中，形成摻雜區；以及

去除所述含溝槽摻雜劑的層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體襯底中形成凹入區；

在所述凹入區的側壁上形成含體摻雜劑的間隔物，所述含體摻雜劑的間隔物具有所述第二導電類型的摻雜劑；以及

通過將所述含體摻雜劑的間隔物中的所述摻雜劑擴散到所述半導體襯底中而形成體區。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

去除所述含體摻雜劑的間隔物；

形成柵絕緣層以覆蓋所述凹入區的底表面和側壁；以及

形成柵電極以填充所述凹入區。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述溝槽的形成包括在所述體區的一側形成次溝槽以及通過蝕刻所述次溝槽的底表面而形成主溝槽，

還包括，在形成所述主溝槽之前，通過將所述第二導電類型的摻雜劑注入到所述次溝槽的所述底表面中而形成延伸至所述體區中的接地區。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二導電類型的摻雜劑的濃度在所述接地區中比在所述體區中高。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在所述含溝槽摻雜劑的層中的所述摻雜劑通過熱處理擴散到所述半導體襯底。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述溝槽的所述側壁和所述底表面上形成半導體層。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

通過將所述第一導電類型的摻雜劑注入到所述半導體層的上部分、所述體區的上部分以及所述接地區的上部分而形成源區；以及

通過將所述第一導電類型的摻雜劑注入到所述半導體襯底的底表面中而形成漏區。

9.根據權利要求7所述的方法，在形成所述半導體層之后，還包括形成填充所述溝槽的間隙填充絕緣圖案。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述含溝槽摻雜劑的層包括硼硅玻璃(BSG)和磷硅玻璃(PSG)之一。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體襯底包括基底襯底和在所述基底襯底上的外延襯底；以及

所述溝槽形成在所述外延襯底中。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述摻雜區接觸所述基底襯底。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述摻雜區藉由外延襯底的置于所述基底襯底和所述摻雜區之間的部分而不接觸所述基底襯底。

14.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在第一導電類型的半導體襯底中形成第一溝槽；

在所述第一溝槽的側壁和底表面上形成第一含溝槽摻雜劑的層，所述第一含溝槽摻雜劑的層包括第二導電類型的摻雜劑；

通過將所述第一含溝槽摻雜劑的層中的所述摻雜劑擴散到所述半導體襯底中，形成第一摻雜區；

通過蝕刻所述第一溝槽的所述底表面，形成第二溝槽；

在所述第二溝槽的側壁和底表面上形成第二含溝槽摻雜劑的層，所述第二含溝槽摻雜劑的層包括所述第二導電類型的摻雜劑；

通過將所述第二含溝槽摻雜劑的層中的所述摻雜劑擴散到所述半導體襯底中，形成第二摻雜區；以及

去除所述第二含溝槽摻雜劑的層。

15.根據權利要求14所述的方法，還包括在所述第二溝槽的所述側壁和所述底表面上形成半導體層。

16.根據權利要求14所述的方法，在形成所述第二溝槽之前，還包括去除在所述第一溝槽的所述底表面上的所述第一含溝槽摻雜劑的層，所述第一含溝槽摻雜劑的層保留在在所述第一溝槽的所述側壁上。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述第二溝槽的下區域的寬度比所述第二溝槽的上區域的寬度窄。