[發明專利]有機發光顯示設備及其制造方法

有效

• 申請號: 201110286689.5
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102420207A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 文相皓;康起寧
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L27/32;H01L21/48;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強

相關申請的交叉引用

本申請要求2010年9月24日遞交韓國知識產權局的韓國專利申請No.10-2010-0092853的優先權和權益，該申請的公開內容通過引用整體合并于此。

技術領域

本發明涉及有機發光顯示設備及其制造方法。

背景技術

例如有機發光顯示設備或液晶顯示設備的平板顯示設備制造在包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及用于連接TFT和電容器的布線的基板上。

一般來說，為了在制造平板顯示設備的基板上形成包括TFT的精細圖案，通過利用其上形成有精細圖案的掩膜將這種精細圖案傳遞到陣列基板上。

一般來說，在光刻操作中通過利用掩膜傳遞圖案。在光刻操作中，將光刻膠均勻涂覆在待形成圖案的基板上，通過利用諸如步進機之類的曝光設備對光刻膠進行曝光，并且在利用正性光刻膠時，對曝光的光刻膠進行顯影。此外，在對光刻膠進行顯影之后，通過利用光刻膠的剩余部分作為掩膜刻蝕圖案，然后去除光刻膠的剩余部分。

在如上所述的通過利用掩膜傳遞圖案的操作中，預先制備包括必要圖案的掩膜。因此，制備掩膜的成本隨著利用掩膜的操作數目的增加而增加。此外，這種操作包括如上所述的復雜步驟。因此，總的制造時間和制造成本增加。

發明內容

根據本發明的示例性實施例提供一種有機發光顯示設備及其制造方法，該有機發光顯示設備可以通過簡化的制造工藝來制造，并且由于提高了焊盤單元上的電阻均勻性而展示出提高的亮度。

根據本發明實施例的方面，提供了一種有機發光顯示設備，包括：薄膜晶體管(TFT)，包括有源層、包括柵底電極和柵頂電極的柵電極、源電極和漏電極；有機電致發光(EL)器件，電連接至所述TFT，并且包括位于與所述柵底電極相同的層處且包括與所述柵底電極相同的材料的像素電極、包括發射層的中間層以及對電極的堆疊；第一焊盤電極，位于與所述柵底電極相同的層處且包括與所述柵底電極相同的材料；以及第二焊盤電極，包括位于與所述柵底電極相同的層處且包括與所述柵底電極相同的材料的第二焊盤底電極，和位于與所述柵頂電極相同的層處且包括與所述柵頂電極相同的材料的第二焊盤頂電極。

所述第二焊盤電極的兩個相對端可以電連接至所述第一焊盤電極，并且所述第二焊盤電極可以在與所述第一焊盤電極平行的方向上延伸。

所述有機發光顯示設備可以進一步包括用于覆蓋所述第二焊盤電極的一個或多個絕緣層。

所述有機發光顯示設備可以進一步包括用于覆蓋所述TFT、所述有機EL器件、所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極的至少部分的一個或多個絕緣層，其中所述一個或多個絕緣層中的至少一個絕緣層具有一個或多個開口，并且所述一個或多個開口和所述第二焊盤電極彼此不重疊。

所述第一焊盤電極的末端可以被暴露，并且可以電連接至用于供應用以驅動所述有機發光顯示設備的電流的驅動器IC。

經由所述第一焊盤電極輸入的電流的至少一部分可以經由所述第二焊盤電極被傳輸至所述TFT和所述有機EL器件。

所述柵底電極、所述像素電極、所述第一焊盤電極和所述第二焊盤底電極可以包括ITO、IZO、ZnO和In₂O₃中的一種或多種。

所述柵頂電極和所述第二焊盤頂電極可以包括從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其組合物中選擇的一種或多種材料。

所述柵頂電極和所述第二焊盤頂電極可以具有Mo-Al-Mo的三層結構。

根據按照本發明的實施例的另一方面，提供了一種有機發光顯示設備，包括：位于基板上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的TFT的有源層；覆蓋所述有源層的第二絕緣層；位于所述第二絕緣層上的像素電極；柵底電極，位于所述有源層上且位于與所述像素電極相同的層處，并且包括與所述像素電極相同的材料；第一焊盤電極，位于與所述柵底電極相同的層處且包括與所述柵底電極相同的材料，并且與所述柵底電極隔開；第二焊盤底電極，位于與所述第一焊盤電極相同的層處且包括與所述第一焊盤電極相同的材料，并且電連接至所述第一焊盤電極；位于所述柵底電極上的柵頂電極；第二焊盤頂電極，位于與所述柵頂電極相同的層上且包括與所述柵頂電極相同的材料，并且位于所述第二焊盤底電極上；第三絕緣層，覆蓋所述像素電極、所述柵頂電極、所述第一焊盤電極和所述第二焊盤頂電極的至少部分；以及位于所述第三絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極中之一接觸所述像素電極。