[發(fā)明專利]一種在半導體硅片的通孔中進行電鍍銅的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110285111.8 | 申請日： | 2011-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN102443828A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | C25D5/10 | 分類號： | C25D5/10;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導體 硅片 通孔中 進行 鍍銅 方法 | ||
1.一種在半導體硅片的通孔中進行電鍍銅的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，先進行電鍍，在硅片表面和通孔的底部及側(cè)壁上形成一層金屬銅層，從而對半導體硅片中的通孔進行部分填充，之后對硅片進行清洗；
步驟2，對形成的金屬銅層進行部分電解，使硅片表面和通孔側(cè)壁上的金屬銅層厚度變薄，并對硅片進行清洗，所述開口處減少的厚度多于通孔底部和側(cè)壁減少的厚度；
步驟3，在已填充有金屬銅層的通孔內(nèi)再次進行電鍍，以在已填充有金屬銅層的通孔內(nèi)填充另一層金屬銅層，并對所形成的金屬銅層再次進行部分電解；
步驟4，待通孔內(nèi)填滿金屬銅后，清洗半導體硅片并進行退火處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，重復(fù)步驟2過程一次以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電鍍用的電鍍液中含有抑制劑、加速劑和平整劑，所述抑制劑的分子量大于加速劑的分子量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電解用的電解液中含有抑制劑、加速劑和平整劑，所述加速劑的分子量大于抑制劑的分子量。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述加速劑或抑制劑為有機物。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，電鍍過程中硅片表面的銅電鍍速度慢于通孔內(nèi)的銅電鍍速度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，電解過程中硅片表面的銅電解速度快于通孔內(nèi)的銅電解速度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火溫度控制在400℃以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火時間控制在30分鐘之內(nèi)。
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