[發明專利]一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝

有效

• 申請號: 201110285105.2
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102446828A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 毛智彪;胡友存;戴韞青;王劍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，其工藝步驟如下：

1）沉積低k值介質層；

2）在沉積的低k值介質層上形成刻蝕阻擋層；

3）完成光刻和刻蝕去除非冗余金屬區域的刻蝕阻擋層；

4）再次沉積低k值介質達到所需厚度的低k值介質層；

5）再次光刻和刻蝕形成金屬導線槽和冗余金屬槽；

6）進行導線金屬和冗余金屬的填充，完成金屬層沉積；

7）對金屬層進行化學機械研磨；

8）繼續化學機械研磨低k值介質層和金屬混合層，進一步去除冗余金屬。

2.如權利要求1所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述所述的刻蝕阻擋層的材質為碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、鈦、氮化鈦、氧化鈦、鉭、氮化鉭、氧化鉭。

3.如權利要求1所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述所述的刻蝕阻擋層的厚度范圍在1納米至1000納米之間。

4.如權利要求4所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述的冗余金屬槽比金屬導線槽淺。