[發明專利]雙柵晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201110282916.7
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103022124A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王莉莉

1.一種雙柵晶體管，包括：

襯底上的半導體層；

在所述半導體層中形成的鰭結構，所述鰭結構具有用于形成源漏區的兩個端部和位于兩個端部之間的用于形成溝道區的中間部分，所述用于形成溝道區的中間部分包括垂直于襯底表面的兩個相對側面；

設置在所述用于形成溝道區的中間部分的一個側面上的第一柵極電介質層和第一柵極；以及

設置在所述用于形成溝道區的中間部分的另一個側面上的第二柵極電介質層和第二柵極，

其特征在于：

所述用于形成溝道區的中間部分的寬度大于所述用于形成源漏區的兩個端部的寬度，

所述用于形成溝道區的中間部分的長度大于所述第一柵極的長度和所述第二柵極的長度中的至少一個，以及

所述第一柵極的高度與所述第二柵極的高度分別與所述用于形成溝道區的中間部分的高度相同，

其中長度沿溝道方向，高度沿垂直于襯底表面的方向，寬度沿與長度和高度方向分別垂直的方向。

2.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極電介質層和第一柵極的長度相同，并且所述第二柵極電介質層和第二柵極的長度相同。

3.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極電介質層和第一柵極的高度相同，并且所述第二柵極電介質層和第二柵極的高度相同。

4.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極與所述第二柵極的長度不同。

5.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極與所述第二柵極的長度相同。

6.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極與所述第二柵極的寬度不同。

7.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極與所述第二柵極的寬度相同。

8.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述用于形成溝道區的中間部分在寬度方向上分別延伸超出所述用于形成源漏區的兩個端部的兩側。

9.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述用于形成溝道區的中間部分在長度方向上分別延伸超出所述第一柵極的兩端。

10.如權利要求9所述的雙柵晶體管，其中所述用于形成溝道區的中間部分在長度方向上分別延伸超出所述第一柵極的兩端中的至少一端的長度為所述第一柵極的長度的1/5～1/6。

11.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述用于形成溝道區的中間部分在長度方向上分別延伸超出所述第二柵極的兩端。

12.如權利要求11所述的雙柵晶體管，其中所述用于形成溝道區的中間部分在長度方向上分別延伸超出所述第二柵極的兩端中的至少一端的長度為所述第二柵極的長度的1/5～1/6。

13.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極和所述第二柵極的材料分別包括多晶硅、多晶鍺、多晶硅鍺和金屬中的至少一種。

14.如權利要求13所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極與所述第二柵極的材料不同。

15.如權利要求13所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極與所述第二柵極的材料相同。

16.如權利要求1所述的雙柵晶體管，還包括分別設置在所述第一柵極和所述第二柵極上的第一接觸和第二接觸。

17.如權利要求16所述的雙柵晶體管，其中所述第一接觸和所述第二接觸的材料分別包括W、Cu和Al中的至少一種。

18.如權利要求17所述的雙柵晶體管，其中所述第一接觸與所述第二接觸的材料相同。

19.如權利要求17所述的雙柵晶體管，其中所述第一接觸與所述第二接觸的材料不同。

20.如權利要求1所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極電介質層與所述第二柵極電介質層的材料分別包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一種。

21.如權利要求20所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極電介質層與所述第二柵極電介質層的材料相同。

22.如權利要求20所述的雙柵晶體管，其中所述第一柵極電介質層與所述第二柵極電介質層的材料不同。