[發(fā)明專利]一種面向SoC芯片的晶圓級高溫老化測試調(diào)度方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110282433.7
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN103018646A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔小樂;李崇仁;程偉;陶玉娟
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)深圳研究生院;南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種面向SoC芯片的晶圓級高溫老化測試調(diào)度方法，其特征在于，包括：

(1)通過選擇不同溫控能力的測試矢量，控制各測試矢量的施加時間，從而控制電路模塊或SoC芯片的測試溫度，并控制WLTBI測試持續(xù)時間。

(2)通過電路測試結(jié)構(gòu)優(yōu)化，安排測試數(shù)據(jù)在不同測試路徑上的發(fā)送時序，從而增強測試并行性，減少測試時間。

(3)基于三維裝箱模型的測試調(diào)度方案，利用智能算法進行調(diào)度優(yōu)化。

2.如權(quán)利要求1所述的老化測試調(diào)度方法，其特征在于，所述不同溫控能力的測試矢量包括：當(dāng)掃描鏈所產(chǎn)生的溫升等于芯片熱沉所損耗的溫度時，老化溫度恒定不變。當(dāng)掃描鏈鏈產(chǎn)生的溫升大于芯片熱沉所損耗的溫度時，老化溫度上升，反之，老化溫度下降。根據(jù)老化測試方案(如恒定高溫試驗、溫度循環(huán)試驗等)中的溫控要求，設(shè)計測試矢量與測試輸入波形。不同溫控要求形成不同測試矢量。

3.如權(quán)利要求1所述的老化測試調(diào)度方法，其特征在于，所述電路測試結(jié)構(gòu)優(yōu)化包括：

(1)首先進行IP核的測試殼優(yōu)化，通過平衡Wrapper內(nèi)掃描鏈長度以及使掃描測試功耗均勻化的方式，控制單個IP的測試溫度，縮短最長掃描鏈長度，減少單個IP核的測試時間。

(2)在此基礎(chǔ)上，進行TAM結(jié)構(gòu)優(yōu)化，通過智能算法迭代逼近測試總線的最優(yōu)劃分，從而控制整個SoC的測試溫度并且縮短SOC測試時間。

4.如權(quán)利要求1所述的老化測試調(diào)度方法，其特征在于，所述基于三維裝箱模型的測試調(diào)度方案包括：設(shè)定TAM總線寬度和測試溫度是SoC芯片的固有約束條件，將TAM寬度、測試溫度和測試時間分別視為三個維度，測試調(diào)度過程優(yōu)化的目標(biāo)為將所有的小盒子裝入大箱子當(dāng)中，測試溫度變化均勻可控，并且小盒子在測試時間維度上的總長度最小化，且不超出大箱子的尺寸約束。