[發明專利]高效率非晶硅與銅銦鎵硒疊構太陽電池技術無效
| 申請號： | 201110282329.8 | 申請日： | 2011-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN103022020A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人 | 申請（專利權）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/04 | 分類號： | H01L25/04;H01L31/048 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高效率 非晶硅 銅銦鎵硒疊構 太陽電池 技術 | ||
1.本發明主要為先各分別利用等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)制備非晶硅(a-Si)單結太陽電池，與利用蒸鍍法或硒化法制備銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池，并經由兩片乙烯醋酸乙烯酯(EVA)與一高穿透率(低鐵)玻璃配合四端點封裝技術制成一太陽能電池組件。
2.根據權利要求1所述的非晶硅單結太電池組件，包括氫化非晶硅(a-Si:H)、氦化非晶硅?
???(a-Si:He)與鍺化非晶硅(a-SiGe)組件。
3.根據權利要求1所述的非晶硅單結太電池組件，包括透明導電薄膜材料涵蓋二氧化錫????
???(SnO2)透明導電膜、氧化鋅參雜鋁(ZnO:Al)透明導電膜、氧化鋅參雜硼(ZnO:B)透明導電??
???膜與ITO透明導電膜。
4.根據權利要求1所述的非晶硅單結太電池組件，包括金屬導電層薄膜材料鋁(Al)和銀(Ag)
???薄膜，其中若使用銀薄膜則會加上鈦(Ti)薄膜的搭配使用，避免氧化物生成于銀表面。
5.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，包括銅銦鎵硒(CIGS)、硫化銅銦鎵硒(CIGSS)與銅?銦硒(CIS)等主要吸收層。
6.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的背電極為鉬(Mo)。
7.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的N結包括硫化鎘(CdS)、硫化鋅(ZnS)與硒化鋅(ZnSe)。
8.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的窗口層為本徵層氧化鋅(i-ZnO)。
9.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒組件，所使用的前電級包括參雜鋁的氧化鋅(ZnO:Al)、氧?
???化鋅參雜硼(ZnO:B)透明導電膜與ITO透明導電膜。
10.根據權利要求1所述的四端點封裝技術，為利用并聯封裝方法來封裝。
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