[發明專利]在穿硅通孔鍍敷中減少副產品

無效

• 申請號: 201110281341.7
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102400196A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 馬克·J·威利;李孝尚
• 申請（專利權）人: 諾發系統有限公司
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;C25D3/38;C25D5/02;C25D21/12;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種方法，其包括：

降低鍍敷溶液的氧濃度，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑；

在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之后，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸，其中所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少；以及

在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之5或更少的所述加速劑。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述品片襯底包括至少一個特征，其具有至少約10∶1的縱橫比及至少約5微米的開口直徑或寬度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述電鍍發生至少約10分鐘。

5.根據權利要求1所述的方法，其中將所述金屬電鍍到穿硅通孔上。

6.根據權利要求1所述的方法，其中將所述金屬電鍍到晶片襯底級封裝特征上。

7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

將所述鍍敷溶液從鍍敷隔間供應到所述鍍敷單元，其中所述鍍敷隔間中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度小于約百萬分之10，且其中在從所述鍍敷隔間供應所述鍍敷溶液時執行降低所述鍍敷溶液的所述氧濃度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍍敷溶液大致不包含整平劑。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬包含銅。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述鍍敷溶液包含約每升40到80克的銅。

11.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在使所述晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸之前預潤濕所述晶片襯底。

12.根據權利要求11所述的方法，其中用所述鍍敷溶液預潤濕所述晶片襯底。

13.根據權利要求1所述的方法，其中用脫氣裝置執行降低所述鍍敷溶液的所述氧濃度。

14.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

將光致抗蝕劑涂覆到所述晶片襯底；

使所述光致抗蝕劑暴露于光；

圖案化所述抗蝕劑且將所述圖案轉印到所述晶片襯底；以及

選擇性地從所述晶片襯底移除所述光致抗蝕劑。

15.一種溶液，其包括：

金屬鹽；

約百萬分之1或更少的氧；

約百萬分之10或更少的加速劑；以及

約百萬分之300或更少的抑制劑。

16.根據權利要求15所述的溶液，其中所述溶液是鍍敷溶液。

17.根據權利要求15所述的溶液，其中所述溶液是預潤濕溶液。

18.一種用于電鍍金屬的設備，其包括：

(a)鍍敷單元；以及

(b)控制器，其包括用于實行包括以下步驟的工藝的程序指令：

降低鍍敷溶液的氧濃度，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑；

在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之后，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸，其中所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少；以及

在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。

19.一種系統，其包括根據權利要求18所述的設備及分檔器。

20.一種包括用于控制設備的程序指令的非暫態計算機機器可讀媒體，所述指令包括用于以下操作的代碼：

降低鍍敷溶液的氧濃度，其中所述鍍敷溶液包含約百萬分之10或更少的加速劑及約百萬分之300或更少的抑制劑；

在降低了所述鍍敷溶液的所述氧濃度之后，在鍍敷單元中使晶片襯底與所述鍍敷溶液接觸，其中所述鍍敷單元中的所述鍍敷溶液的所述氧濃度為約百萬分之1或更少；以及

在所述鍍敷單元中將金屬電鍍到所述晶片襯底上。