[發明專利]一種多柵極場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201110280744.X
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN103021851A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 洪中山
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種多柵極場效應晶體管的制作方法，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底包括底部含Si半導體層、絕緣層以及頂部含Si半導體層；

在所述半導體基底上形成硬掩膜；

圖案化所述硬掩膜；

形成鰭片；

在所述絕緣層、所述鰭片和所述硬掩膜上沉積另一絕緣層；

去除多余的所述另一絕緣層，使所述硬掩膜和所述鰭片的一部分暴露出來。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體基底為絕緣體上硅。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述硬掩膜為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化所述硬掩膜的方法采用雙重圖形光刻技術、電子束曝光技術、納米壓印技術或極紫外光刻技術中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的方法，其中沉積另一絕緣層的方法采用流動性化學氣相沉積工藝、旋轉涂覆工藝或高密度等離子體工藝。

6.根據權利要求1所述的方法，其中采用凹陷刻蝕去除多余的所述另一絕緣層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中在所述凹陷蝕刻步驟之前還包括通過化學機械研磨去除所述硬掩膜上部的所述另一絕緣層的步驟。

8.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述另一絕緣層后，位于所述鰭片底部的被保留的另一絕緣層厚度為鰭片總高度的1/10~1/3。

9.根據權利要求1所述的方法，其中去除所述另一絕緣層后，還包括去除所述硬掩膜的步驟。

10.一種多柵極場效應晶體管結構，包括：

底部含Si半導體層、位于所述底部含Si半導體層上的絕緣層以及部分嵌入所述絕緣層的半導體鰭片。

11.根據權利要求10所述的結構，其中部分嵌入絕緣層的半導體鰭片高度為半導體鰭片總高度的1/10~1/3。