[發(fā)明專利]用于惡劣環(huán)境的發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110276617.2
• 申請日: 2008-03-06
• 公開（公告）號: CN102347405A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設計）人: J·D·科爾文;A·E·科爾文;A·德昂尼斯;J·L·克爾斯馬諾維奇
• 申請（專利權(quán)）人: 醫(yī)藥及科學傳感器公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/44;H01L33/62;H01L31/12;A61B5/1459
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種用于將發(fā)光二極管以倒裝芯片取向的方式安裝到印刷電路板的方法，包括：

從所述發(fā)光二極管的第一表面去除反射層；

在所述發(fā)光二極管的第二表面上將微柱鍵合到每一個鍵合焊盤，所述第二表面與所述第一表面相對；

將所述微柱鍵合到所述印刷電路板上的相應鍵合焊盤，以便以倒裝芯片取向的方式安裝所述發(fā)光二極管；以及

在所述發(fā)光二極管的所述第一表面上安裝漫射器，以漫射通過所述發(fā)光二極管的所述第一表面發(fā)射的光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述發(fā)光二極管包括基本透明的襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底是藍寶石。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述發(fā)光二極管包括半導體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述半導體層包括至少一個p-n結(jié)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述發(fā)光二極管的所述第二表面上的所述鍵合焊盤、所述印刷電路板上的所述鍵合焊盤、以及所述微柱是金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用熱壓鍵合、熱超聲鍵合、超聲鍵合或者焊接，將所述微柱鍵合到所述發(fā)光二極管的所述第二表面上的所述鍵合焊盤以及所述印刷電路板上的所述鍵合焊盤。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述發(fā)光二極管的所述第二表面以及所述印刷電路板的所述第一表面之間形成包括聚合物和填充物的底部填充層，所述底部填充層用于降低所述發(fā)光二極管和所述印刷電路板之間的水滲透。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述填充物包括多個微球并且所述聚合物是氰酸酯。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個微球中的每一個微球具有2μm到11μm的直徑。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個微球中的每一個微球是具有11μm直徑和1μm壁厚度的填充有氣體的球體。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使用粘結(jié)促進劑預處理所述微球。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述粘結(jié)促進劑是硅烷。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述填充物是光散射填充物并且所述聚合物是光學環(huán)氧樹脂。

15.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述光散射填充物是鈦氧化物并且所述光學環(huán)氧樹脂是Epo-Tek?301-2。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述底部填充層是70％重量的聚合物和30％重量的填充物。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述漫射器包括用于增加光反射率的鈦氧化物。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述漫射器包括用于增加光反射率的微球。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述漫射器是基本透明的、半球形的漫射器。