[發明專利]具有互補電極層的發光半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201110275477.7 | 申請日： | 2011-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN102332518A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發明（設計）人： | 管志斌 | 申請（專利權）人： | 晶能光電(江西)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330029 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 互補 電極 發光 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有互補電極層的發光半導體器件，包括P電極，在P電極上制作有電流擴散層，在電流擴散層上制作有P電極焊盤，其特征在于：
在所述P電極焊盤下面制作有絕緣層，該絕緣層圍繞著電極焊盤設置，P電極焊盤的投影在絕緣層的投影范圍內，且設在所述電流擴散層與所述P電極之間；
P電極焊盤存在與P電極接觸的連通部，該連通部穿過電流擴散層和絕緣層與P電極接觸。
2.根據權利要求1所述的具有互補電極層的發光半導體器件，其特征在于：所述絕緣層為二氧化硅材質。
3.根據權利要求1所述的具有互補電極層的發光半導體器件，其特征在于：所述電流擴散層為ITO材質。
4.根據權利要求1所述的具有互補電極層的發光半導體器件，其特征在于：所述發光半導體器件包括襯底，襯底為藍寶石襯底。
5.根據權利要求1所述的具有互補電極層的發光半導體器件，其特征在于：所述P電極焊盤為CrPtAu合金。
6.根據權利要求1所述的具有互補電極層的發光半導體器件，其特征在于：在所述P電極焊盤上有電極引線。
7.一種用于制造具有互補電極層的發光半導體器件的方法，其包括以下步驟：
在襯底上生長氮化鎵基半導體多層結構，氮化鎵基半導體多層結構包括位于下層的N電極、位于中間的發光層和位于上層的P電極；
在P電極上制作絕緣層，其中在絕緣層上形成一個裸露P電極的孔；
在絕緣層上制作電流擴散層，在電流擴散層上保留上述孔的形態，；
在電流擴散層上制作P電極焊盤，P電極焊盤覆蓋在上述孔上，其凸出電流擴散層表面，其下面與P電極接觸。
8.根據權利要求7所述的用于制造具有互補電極層的發光半導體器件的方法，其特征在于：所述電流擴散層為ITO材質。
9.根據權利要求7所述的用于制造具有互補電極層的發光半導體器件的方法，其特征在于：所述絕緣層為二氧化硅材質。
10.根據權利要求7所述的用于制造具有互補電極層的發光半導體器件的方法，其特征在于：在所述P電極焊盤上有電極引線。
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