[發(fā)明專利]共面式光伏電池及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110274064.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102403370A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許國(guó)強(qiáng);王坤池 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 許國(guó)強(qiáng);王坤池 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/06 |
| 代理公司: | 北京市浩天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11276 | 代理人: | 劉云貴;劉民選 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃園*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 共面式光伏 電池 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明系有關(guān)光伏電池技術(shù),特別是有關(guān)于共面式光伏電池及其制造方法。?
背景技術(shù)
太陽(yáng)電池(solar?cell)或光伏電池(photovoltaic?cells)是利用光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)(photovoltaic?effect)將太陽(yáng)光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。在全球環(huán)境保護(hù)的浪潮下,太陽(yáng)電池被期許能做為替代能源,并在近年來(lái)被積極地發(fā)展,得以廣泛地商品化。另外,在建筑物、車輛或其它物體上也可以部份覆蓋太陽(yáng)電池,藉以盡量使用太陽(yáng)能源做為供電能源。?
太陽(yáng)電池的效能是以光電轉(zhuǎn)換效率(conversion?efficiency)來(lái)評(píng)量,與光電轉(zhuǎn)換效率有關(guān)的幾個(gè)參數(shù)定義如下:?
Voc:開(kāi)路電壓(V)?
Isc:短路電流(A)?
Pmp:最大輸出功率(W)?
Vmp:最大輸出功率時(shí)之電壓(V)?
Imp:最大輸出功率時(shí)之電流(A)?
F.F.(Fill?Factor):填充因子(%)=(Vmp?x?Imp/Voc?x?Isc)x?100%?
由上述定義得知,?
Pmp:最大輸出功率(W)=Vmp?x?Imp?
=F.F.x(Voc?x?Isc)/100%?
光電轉(zhuǎn)換效率(η)=最大輸出功率/入射陽(yáng)光功率?
=F.F.x(Voc?x?Isc)/(Pin?x?100%)?
由上式得知,太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率與開(kāi)路電壓(Voc)、短路電流(Isc)、填充因子(F.F.)等因素成正向關(guān)系,這三個(gè)數(shù)值提高了,太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率也隨之提升。?
另外,太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓(Voc)與組成太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體電極材料之能帶寬(energy?bandgap)約成正比關(guān)系,故采用的半導(dǎo)體電極材料其能帶愈寬,則?太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓會(huì)愈高。同時(shí),太陽(yáng)電池的開(kāi)路電壓也會(huì)受表面與本體(buck)缺陷濃度的影響;一般而言,太陽(yáng)電池的表面缺陷濃度越高,逆向飽和電流(reverse?saturation?current,Io)會(huì)越大,則開(kāi)路電壓將會(huì)降低。具有低缺陷的特性的半導(dǎo)體材料,通常于成膜過(guò)程中會(huì)富含有較多氫原子,氫原子可以鈍化(passivate)表面缺陷,以有效降低表面缺陷濃度,最后將可以有效提高開(kāi)路電壓同時(shí)提高短路電流(Isc)。?
太陽(yáng)電池的短路電流(Isc)與組成太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體電極材料之表面與本體(buck)缺陷濃度與有效入射陽(yáng)光能量的影響,采用的半導(dǎo)體電極材料其表面與本體(buck)缺陷濃度越低,逆向飽和電流(Io)會(huì)越小,由光子所產(chǎn)生之少數(shù)載子(photon-generated?minority?carrier)再結(jié)合(recombination)的比例也較低,短路電流(Isc)因而提升。另外,提升有效入射陽(yáng)光能量可以提高光電流的產(chǎn)生,也可以提高太陽(yáng)電池的短路電流(Isc)。?
太陽(yáng)電池的填充因子(F.F.)則決定于太陽(yáng)電池內(nèi)部的等效串聯(lián)電阻(Rs)與等效并聯(lián)電阻(Rsh)特性,當(dāng)?shù)刃Т?lián)電阻(Rs)愈小且等效并聯(lián)電阻(Rsh)愈大時(shí),填充因子(F.F.)的數(shù)值愈大。等效串聯(lián)電阻(Rs)與等效并聯(lián)電阻(Rsh)的數(shù)值取決于太陽(yáng)電池的相關(guān)材料特性與制造技術(shù)的設(shè)計(jì)及水平,等效串聯(lián)電阻(Rs)是太陽(yáng)電池導(dǎo)電回路中所有材料的導(dǎo)電電阻與接口的接觸電阻的總和,導(dǎo)電回路中的各項(xiàng)電阻如:1)金屬導(dǎo)線的電阻、2)N型半導(dǎo)體層的電阻、3)P型半導(dǎo)體層的電阻、4)金屬導(dǎo)線與N型半導(dǎo)體層接口的接觸電阻、5)金屬導(dǎo)線與P型半導(dǎo)體層接口的接觸電阻、6)N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層接口的接觸電阻等。等效并聯(lián)電阻(Rsh)主要是由N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層的絕緣處理效果所決定,當(dāng)N/P型半導(dǎo)體層間的漏電電流越低,等效并聯(lián)電阻(Rsh)的數(shù)值越大,填充因子(F.F.)的數(shù)值也隨之提高。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于許國(guó)強(qiáng);王坤池,未經(jīng)許國(guó)強(qiáng);王坤池許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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