[發明專利]用于濕式電解電容器的經噴砂的導電聚合物陰極

有效

• 申請號: 201110273502.8
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN102403132A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: M·比樂;J·加爾瓦格尼;D·H·德雷斯格;Z·L·西博爾德;F·普里班
• 申請（專利權）人: AVX公司
• 主分類號: H01G9/04
• 分類號: H01G9/04;H01G9/145
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 譚志強

1.一種用于形成濕式電解電容器陰極的方法，該方法包括：

????對金屬基底噴射磨料以形成具有多個凹坑的微粗化表面；以及

????在微粗化表面上形成導電涂層，其中導電涂層包含內在導電的取代聚噻吩。

2.根據權利要求1所述的方法，其中凹坑的平均深度為約200至約2500納米。

3.根據權利要求1所述的方法，其中凹坑的峰-峰距離為約30至約400微米。

4.根據權利要求1所述的方法，其中磨料包括陶瓷顆粒。

5.根據權利要求1所述的方法，其中磨料以約10至約35磅/平方英寸的壓力噴射。

6.根據權利要求1所述的方法，其中磨料對金屬基底噴射的時間為約10至約30秒。

7.根據權利要求1所述的方法，其中磨料通過噴嘴噴出。

8.根據權利要求7所述的方法，其中噴嘴相對基底轉動。

9.根據權利要求1所述的方法，其中在涂覆前體溶液之前將磨料從表面除去。

10.根據權利要求1所述的方法，其中取代聚噻吩具有通式(I)、通式(II)或兩者的重復單元：

其中：

A是任選C₁-C₅烯烴取代基；

R是直鏈或支鏈的任選C₁-C₁₈烷基取代基、任選C₅-C₁₂環烷基取代基、任選C₆-C₁₄芳基取代基、任選C₇-C₁₈芳烷基取代基、任選C₁-C₄羥烷基取代基或羥基取代基；以及

x是0-8的整數。

11.根據權利要求10所述的方法，其中A是任選取代的C₂-C₃烯烴取代基并且x為0或1。

12.根據權利要求1所述的方法，其中取代聚噻吩為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。

13.根據權利要求1所述的方法，其中取代聚噻吩通過噻吩單體原位聚合形成。

14.根據權利要求1所述的方法，其中導電涂層包括顆粒的分散體，所述顆粒包括取代聚噻吩。

15.根據權利要求1所述的方法，其中金屬基底包括鈦、鉭或其組合。

16.一種用于形成濕式電解電容器的方法，該方法包括：

????對金屬基底噴射磨料以形成具有多個凹坑的微粗化表面；

????在微粗化表面上形成導電涂層，其中導電涂層包含內在導電的取代聚噻吩；以及

????將經涂覆的金屬基底與陽極和電解質電連接，其中陽極由包括介電層的多孔陽極體形成。

17.一種濕式電解電容器，包括：

????多孔陽極體，其包括通過陽極氧化形成的介電層；

????液體電解質；?

????金屬外殼，陽極和液體電解質置于該金屬外殼內，其中金屬外殼限定了一內表面，該內表面包括通過噴砂形成的多個凹坑；以及

????導電涂層，其設置在外殼內表面及其凹坑內，其中導電涂層包含聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。

18.根據權利要求17所述的濕式電解電容器，其中涂層厚度為約0.2μm至約50μm。

19.根據權利要求17所述的濕式電解電容器，其中陽極體包括鉭、鈮或其導電氧化物。

20.根據權利要求17所述的濕式電解電容器，其中金屬基底包括鈦、鉭或其組合。

21.根據權利要求17所述的濕式電解電容器，其中液體電解質含水。

22.根據權利要求17所述的濕式電解電容器，其中液體電解質的pH為約4.5至約7.0。