[發明專利]檢查裝置和布線電路基板的制造方法

有效

• 申請號: 201110272187.7
• 申請日: 2011-09-09
• 公開（公告）號: CN102435610A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 豐田佳弘
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;H05K3/28
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及一種檢查裝置和布線電路基板的制造方法，詳細而言，涉及用于對布線電路基板的覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的檢查裝置、使用該檢查裝置的布線電路基板的制造方法。

背景技術

以往，帶電路的懸掛基板等布線電路基板包括金屬支承層、基底絕緣層、導體圖案、覆蓋絕緣層，基底絕緣層、導體圖案、覆蓋絕緣層被依次層疊在金屬支承層之上。在這樣的布線電路基板中，在形成覆蓋絕緣層之后，利用對布線電路基板的全體外觀進行檢查的自動外觀檢查裝置(AVI：Automatic?Visual?Inspection)對覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查。

作為這樣的AVI裝置，例如提出有如下所述的檢查裝置：具有上部照射部件、水平照射部件、顯微鏡，上部照射部件、水平照射部件、顯微鏡被配置在長條狀的薄膜載帶(film?carrier?tape)的上方并與該薄膜載帶相對，該薄膜載帶包括絕緣膜、布線圖案、覆蓋絕緣層，布線圖案被形成在絕緣薄膜之上，覆蓋絕緣層覆蓋布線圖案(例如參照日本特開2007-42956號公報)。

在該檢查裝置中，上部照射部件被形成為以LED為光源的環形照明，上部照射部件以光相對于鉛垂方向的入射角是3～45度的方式向薄膜載帶照射光。

另外，水平照射部件由1對熒光燈形成，該1對熒光燈呈直線狀延伸，并被相互隔著間隔地相對配置在上部照射部件的下側，水平照射部件以光相對于鉛垂方向的入射角是45～90度的方式向薄膜載帶照射光。

并且，來自上述的上部照射部件和水平照射部件的光在薄膜載帶上反射而形成反射光，利用顯微鏡來讀取該反射光來檢查薄膜載帶。

然而，在上述的日本特開2007-42956號公報所記載的檢查裝置中，向薄膜載帶照射近似水平的光的水平照射部件由1對直線狀的熒光燈形成。

因此，沿著兩熒光燈的相對方向凸凹交替地連續，在較大的兩個凸部之間存在較小的凸部的情況下(具體而言，薄膜載帶的布線圖案并列配置有多個，在兩個布線圖案之間存在小的異物的情況下)，小的凸部進入大的兩個凸部的陰影中，從而存在難以檢測小的凸部的情況。

即、存在不能對有無微細的異物進行高精度的檢查的問題。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種能夠對覆蓋絕緣層中有無異物進行高精度的檢查的檢查裝置和布線電路基板的制造方法。

本發明的檢查裝置是用于對下述布線電路基板的覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的檢查裝置，上述布線電路基板包括基底絕緣層、形成在上述基底絕緣層之上的導體圖案、以覆蓋上述導體圖案的方式形成在上述基底絕緣層之上的覆蓋絕緣層，其特征在于，該檢查裝置包括用于發出能入射到上述覆蓋絕緣層的入射光的發光單元、用于對上述入射光被上述覆蓋絕緣層的表面反射而成的反射光進行接收的受光單元，上述發光單元包括第1發光部、第2發光部，第1發光部呈環狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是25度以下的方式發出上述入射光，第2發光部呈環狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是35～65°的方式發出上述入射光。

另外，采用本發明的檢查裝置，優選上述發光單元還具有第3發光部，第3發光部呈環狀，并以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是15～45°的方式發出上述入射光。

另外，采用本發明的檢查裝置，優選上述入射光的波長是450～750nm。

另外，采用本發明的檢查裝置，優選上述入射光相對于上述覆蓋絕緣層的透射率是30％以下。

另外，采用本發明的檢查裝置，優選上述入射光相對于上述覆蓋絕緣層的反射率是10～30％。

另外，采用本發明的布線電路基板的制造方法，其特征在于，該布線電路基板的制造方法包括形成基底絕緣層的工序、在上述基底絕緣層之上形成導體圖案的工序、在上述基底絕緣層之上以覆蓋上述導體圖案的方式形成覆蓋絕緣層的工序、使用上述檢查裝置對上述覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的檢查工序。

采用本發明的檢查裝置，用于發出能入射到覆蓋絕緣層的入射光的發光單元包括第1發光部、第2發光部，第1發光部呈環狀，以入射光與基底絕緣層的表面之間的角度是25度以下的方式發出入射光，第2發光部呈環狀，以入射光與基底絕緣層的表面之間的角度是35～65°的方式發出入射光。

因此，來自第1發光部的以小角度(與基底絕緣層的表面之間的角度是25°以下)入射到覆蓋絕緣層的入射光、來自第2發光部的以大角度(與基底絕緣層的表面之間的角度是35～65°)入射到覆蓋絕緣層的入射光都呈環狀地入射。