[發明專利]MEMS器件的薄膜制造方法無效
| 申請號： | 201110272176.9 | 申請日： | 2011-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN102320560A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發明（設計）人： | 張艷紅;張挺 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳亮 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 器件 薄膜 制造 方法 | ||
1.一種MEMS器件的薄膜制造方法，包括步驟：
提供{111}方向的硅基底(101)，其上形成有多個凹槽(104)，所述凹槽(104)具有第一深度(h1)；
在多個所述凹槽(104)的側壁形成側壁保護層(105)；
進一步刻蝕多個所述凹槽(104)，在所述硅基底(101)中形成多個深槽(106)，所述深槽(106)相比所述凹槽(104)加深第二深度(h2)；
采用濕法腐蝕法腐蝕多個所述深槽(106)，在所述硅基底(101)內部形成腔體(107)；
采用填充材料(108)將多個所述凹槽(104)完全填充，形成封閉的腔體(107)和厚度等于所述第一深度(h1)的薄膜；
其中，多個所述凹槽(104)的窗口(103)之間的最大行間距(d1)和最大列間距(d2)的計算公式如下：
其中，d1為多個所述凹槽(104)的窗口(103)的最大行間距，d2為多個所述凹槽(104)的窗口(103)的最大列間距，h2為多個所述深槽(106)對多個所述凹槽(104)加深的第二深度，b為所述薄膜垂直于版圖平邊<110>方向的尺寸。
2.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，若所述窗口(103)任何一邊均不與所述平邊<110>方向平行，則在計算多個所述凹槽(104)的窗口(103)之間的最大行間距(d1’)和最大列間距(d2’)之前還包括步驟：
用三對平行的<110>晶向的直線對所述窗口(103)作最大外接圖形(110)；
以多個所述最大外接圖形(110)之間的最大行間距(d1)和最大列間距(d2)映射為所述窗口(103)之間的最大行間距(d1’)和最大列間距(d2’)。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述凹槽(104)的窗口(103)為正方形、三角形、多邊形、圓形或者其他任何封閉圖形。
4.根據權利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕法采用各向異性的腐蝕工藝，在所述硅基底內部形成所述腔體。
5.根據權利要求4所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述濕法腐蝕的溶液為KOH、TMAH、EDP、NaOH、CsOH或NH4OH。
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