[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體組件的終端結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110272130.7
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102468276A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴嵩山;蔡宏圣
• 申請（專利權(quán)）人: 大中積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58
• 代理公司: 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種功率半導(dǎo)體組件的終端結(jié)構(gòu)，該功率半導(dǎo)體組件具有一主動區(qū)以及一終端區(qū)，且該終端區(qū)圍繞該主動區(qū)，而該終端結(jié)構(gòu)設(shè)于該終端區(qū)內(nèi)，其特征在于，該終端結(jié)構(gòu)包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一第一導(dǎo)電類型以及位于該終端區(qū)內(nèi)的一溝槽；

一絕緣層，部分填充于該溝槽并覆蓋于該半導(dǎo)體基底上，且該絕緣層的上表面具有一凹洞；以及

一金屬層，設(shè)于該絕緣層上，且填滿該凹洞。

2.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

一第一摻雜區(qū)，設(shè)于該終端區(qū)的該半導(dǎo)體基底內(nèi)，且該第一摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電類型；以及

一第二摻雜區(qū)，設(shè)于該第一摻雜區(qū)內(nèi)，且該第二摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電類型。

3.如權(quán)利要求2所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層包括一接觸插塞，貫穿該絕緣層以及該第二摻雜區(qū)，以電連接該第一摻雜區(qū)。

4.如權(quán)利要求2所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一接觸摻雜區(qū)，設(shè)于該第一摻雜區(qū)內(nèi)，并與該第二摻雜區(qū)相接觸，且該接觸摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型。

5.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層電連接至該功率半導(dǎo)體組件的一漏極。

6.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層電連接至該功率半導(dǎo)體組件的一源極。

7.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層電連接至該功率半導(dǎo)體組件的一柵極。

8.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹洞的一底部位于該第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)間的一界面的上方。

9.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽的一寬度約略介于2微米至20微米之間。

10.如權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體基底包括：

一基材；以及

一外延層，設(shè)于該基材上，且該溝槽貫穿該外延層并延伸至該基材。

11.一種功率半導(dǎo)體組件的終端結(jié)構(gòu)，該功率半導(dǎo)體組件具有一主動區(qū)以及

一終端區(qū)，且該終端區(qū)圍繞該主動區(qū)，而該終端結(jié)構(gòu)設(shè)于該終端區(qū)內(nèi)，其特征在于，該終端結(jié)構(gòu)包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一導(dǎo)電類型以及一溝槽；

一絕緣層，填滿該溝槽并覆蓋于該半導(dǎo)體基底上；以及

一金屬層，設(shè)于該絕緣層上，且該金屬層包括一接觸插塞，貫穿該絕緣層。

12.一種功率半導(dǎo)體組件的終端結(jié)構(gòu)，該功率半導(dǎo)體組件具有一主動區(qū)以及一終端區(qū)，且該終端區(qū)圍繞該主動區(qū)，而該終端結(jié)構(gòu)設(shè)于該終端區(qū)內(nèi)，其特征在于，該終端結(jié)構(gòu)包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一第一導(dǎo)電類型以及一溝槽；以及

一絕緣層，填滿該溝槽并覆蓋于該半導(dǎo)體基底上。

13.一種功率半導(dǎo)體組件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底具有至少一第一溝槽以及一第二溝槽，且該半導(dǎo)體基底定義有一主動區(qū)以及一終端區(qū)，而該第一溝槽位于該主動區(qū)內(nèi)，該第二溝槽位于該終端區(qū)內(nèi)，其中該半導(dǎo)體基底具有一第一導(dǎo)電類型；

于該第一溝槽內(nèi)形成一柵極結(jié)構(gòu)，其中該柵極結(jié)構(gòu)包括一第一絕緣層與一柵極導(dǎo)電層；

于該半導(dǎo)體基底上覆蓋一第二絕緣層，且該第二絕緣層填滿該第一溝槽，并填充于該第二溝槽內(nèi)；

移除位于該第一溝槽與該第二溝槽外的該第一絕緣層與該第二絕緣層，以暴露出部分該半導(dǎo)體基底；

于所暴露出的該半導(dǎo)體基底內(nèi)形成一基體摻雜區(qū)以及一源極摻雜區(qū)，其中該基體摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電類型，且該源極摻雜區(qū)位于該基體摻雜區(qū)內(nèi)，并具有該第一導(dǎo)電類型；

于該半導(dǎo)體基底上覆蓋一層間介電層；以及

于該層間介電層上形成一源極金屬層與一柵極金屬層，使該源極金屬層電連接該源極摻雜區(qū)，且該柵極金屬層電連接該柵極導(dǎo)電層。

14.如權(quán)利要求13所述的功率半導(dǎo)體組件的制作方法，其特征在于，形成該柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：

于該半導(dǎo)體基底上覆蓋一第一絕緣層，且該第一絕緣層覆蓋該第一溝槽與該第二溝槽的表面；以及

于該第二溝槽內(nèi)填入一柵極導(dǎo)電層。