[發(fā)明專利]襯底及其制備方法、器件制造方法、密封涂層涂敷器及其測量設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110271318.X
• 申請日: 2008-11-06
• 公開（公告）號: CN102323725A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·T·W·范德赫杰登;M·K·斯達(dá)文哥;P·翁;F·J·范德鮑格爾德;D·德伍利斯;D·貝斯塞蒙斯;J·R·A·麥克
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/11
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

本申請是于2008年11月6日遞交的申請?zhí)枮?00810191144.4、發(fā)明名稱為“襯底及其制備方法、器件制造方法、密封涂層涂敷器及其測量設(shè)備”的分案申請。?

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光刻用襯底的制備方法、一種襯底、一種器件制造方法，一種密封涂層涂敷器和一種密封涂層測量設(shè)備。?

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。?

曾有提議將光刻投影設(shè)備中的襯底浸沒到具有相對高的折射率的液體中(例如水)，這樣在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空隙上填充液體。在一個(gè)實(shí)施例中，所述液體是蒸餾水，也可以采用其他液體。本發(fā)明?的實(shí)施例基于液體來描述。然而，別的液體也是合適的，尤其是浸濕液體、不能壓縮的液體和/或具有比空氣更高折射率的液體，優(yōu)選折射率高于水。排除氣體以外的流體尤其是希望使用的。這種方法的關(guān)鍵在于能夠?qū)Ω√卣鞒上?，因?yàn)槠毓廨椛湓谝后w中具有更短的波長。(液體的效果也可以認(rèn)為是提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)同時(shí)增加了焦深。)其他的浸沒液體也有提到，包括含有懸浮的固體顆粒(例如石英)的水或具有納米顆粒懸浮物(顆粒最大尺寸達(dá)到10nm)的液體。這種懸浮顆粒可以具有或可以不具有與它們懸浮其中的液體相似或相同的折射率?？赡苓m合的其他液體包括碳?xì)浠衔?諸如芳香族化合物)、含氫碳氟化合物和/或水溶液。?

然而，將襯底或襯底與襯底臺浸入液體溶池(參見，例如美國專利US4,509,852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機(jī)，而液體中的湍流可能會導(dǎo)致不希望的或不能預(yù)期的效果。?

在浸沒設(shè)備中，浸沒流體通過流體處理系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)或設(shè)備來進(jìn)行處理。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以提供浸沒流體并因此成為流體提供系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限制浸沒流體并因此成為流體限制系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以為浸沒流體提供擋板并因此成為擋板構(gòu)件，例如流體限制結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，流體處理系統(tǒng)可以生成或使用氣流，例如來幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。該氣流可以形成密封，來限制浸沒流體，所以流體處理結(jié)構(gòu)可以稱作密封構(gòu)件；此密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，浸沒液體用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。根據(jù)前述內(nèi)容，此段涉及的關(guān)于流體定義的特征可以理解為包括關(guān)于液體定義的特征。?

提出來的解決方法之一是液體供給系統(tǒng)通過使用液體限制系統(tǒng)或結(jié)構(gòu)只將液體提供在襯底的局部區(qū)域上(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間。提出來的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開號為WO99/49504的PCT專利申請中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向，通過至少一個(gè)入口IN供給到襯底上，并在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)PL?下面后，液體通過至少一個(gè)出口OUT去除。也就是說，當(dāng)襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時(shí)，液體在元件的+X一側(cè)供給并且在-X一側(cè)去除。圖2是所述配置的示意圖，其中液體通過入口IN供給，并在元件的另一側(cè)通過出口OUT去除，所述出口OUT與低壓力源相連。在圖2中，雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口，圖3示出了一個(gè)實(shí)施例，其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的圖案設(shè)置了四個(gè)入口IN和出口OUT。?